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参数资料
| 型号： | EDI8F32128C |
| 英文描述： | 128Kx32 Static RAM CMOS, High Speed Module(128Kx32高速CMOS静态RAM模块) |
| 中文描述： | 128Kx32的CMOS静态RAM，高速模块（128Kx32高速的CMOS静态内存模块） |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | EDI8F32128C |
EDI8F32128C
128Kx32 SRAM Module
3
EDI8F32128C Rev. 9 11/96 ECO #7705
AC Characteristics Read Cycle
Note 1: Parameter guaranteed, but not tested.
*BICMOS
Read Cycle 1 - W High, G, E Low
TAVAV
TAVQV
TAVQX
DATA 2
A
Q
ADDRESS 1
ADDRESS 2
DATA 1
TGHQZ
TELQV
TELQX
E
G
Q
TEHQZ
A
TAVAV
TGLQV
TGLQX
TAVQV
Read Cycle 2 - W High
Symbol
10ns*
12ns*
15ns
20ns
25ns
Parameter
JEDEC Alt.
Min Max
Min Max Min Max
Min Max
Min Max Units
Read Cycle Time
TAVAV TRC
10
12
15
20
25
ns
Address Access Time
TAVQV TAA
10
12
15
20
25
ns
Chip Enable Access
TELQV TACS
10
12
15
20
25
ns
Chip Enable to Output in Low Z (1)
TELQX TCLZ
3
ns
Chip Disable to Output in High Z (1)
TEHQZ TCHZ
5
6
8
10
12
ns
Output Hold from Address Change
TAVQX TOH
3
ns
Output Enable to Output Valid
TGLQV TOE
5
6
13
15
ns
Output Enable to Output in Low Z (1)
TGLQX TOLZ
0
ns
Output Disable to Output in High Z(1)
TGHQZ TOHZ
4
5
8
10
ns
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