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参数资料
| 型号： | EDI8F32128C |
| 英文描述： | 128Kx32 Static RAM CMOS, High Speed Module(128Kx32高速CMOS静态RAM模块) |
| 中文描述： | 128Kx32的CMOS静态RAM，高速模块（128Kx32高速的CMOS静态内存模块） |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 135K |
| 代理商： | EDI8F32128C |
6
EDI8F32128C Rev. 9 11/96 ECO #7705
EDI8F32128C
128Kx32 SRAM Module
Data Retention - E Controlled
Characteristic
Sym
Test Conditions
VDD
Min
Typ
Max
Unit
70
°C 80°C
Data Retention Voltage
VDD
VDD = 0.2V
2
--
V
Data Retention Quiescent Current
ICCDR
E
≥ VDD -0.2V
2V
--
10
125
185
A
VIN
≥ VDD -0.2V
3V
--
20
200
250
A
Chip Disable to Data Retention Time (1)
TCDR
or VIN
≤ 0.2V
0
--
ns
Operation Recovery Time (1)
TR
5
--
ns
Note 1: Parameter guaranteed, but not tested.
Data Retention Characteristics
Data Retention Mode
E
≥VDD -0.2V
E
VCC
TCDR
TR
4.5V
VDD
Part Number
Speed
Package
(ns)
No.
BiCMOS
EDI8F32128B10MZC
10
39
EDI8F32128B12MZC
12
39
CMOS
EDI8F32128C15MZC
15
39
EDI8F32128C20MZC
20
39
EDI8F32128C25MZC
25
39
EDI8F32128C35MZC
35
39
Part Number
Speed
Package
(ns)
No.
BiCMOS
EDI8G32128B10MMC
10
38
EDI8G32128B12MMC
12
38
CMOS
EDI8F32128C15MMC
15
38
EDI8F32128C20MMC
20
38
EDI8F32128C25MMC
25
38
EDI8F32128C35MMC
35
38
EDI8F32128C55BAC
55
328
EDI8F32128C70BAC
70
328
EDI8F32128C85BAC
85
328
EDI8F32128C100BAC
100
328
EDI8F32128LP55BAC
55
328
EDI8F32128LP70BAC
70
328
EDI8F32128LP85BAC
85
328
EDI8F32128LP100BAC
100
328
EDI8F32128LP-BAC
NOTE: 1. For Gold SIMM, change EDI8F to EDI8G.
2. The BICMOS 10 & 12ns SIMMs availabv2le with Gold Contacts only.
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