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参数资料
| 型号： | EDI8F8257C |
| 英文描述： | 256Kx8 Static RAM CMOS, Module(256Kx8 CMOS静态RAM模块（存取时间70，85，100ns）) |
| 中文描述： | 256Kx8静态RAM的CMOS模块（256Kx8的CMOS静态内存模块（存取时间70,85,100纳秒）） |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | EDI8F8257C |
EDI8F8257C
256Kx8 SRAM Module
4
EDI8F8257C Rev. 8.0 4/96 ECO#7470
Symbol
70ns
85ns
100ns
Parameter
JEDEC
Alt.
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Units
Write Cycle Time
TAVAV
TWC
70
85
100
ns
Chip Enable to End of Write
TELWH
TCW
65
70
80
ns
TELEH
TCW
65
70
80
ns
Address Setup Time
TAVWL
TAS
0
ns
TAVEL
TAS
0
ns
Address Valid to End of Write
TAVWH
TAW
65
70
80
ns
TAVEH
TAW
65
70
80
ns
Write Pulse Width
TWLWH
TWP
65
70
80
ns
TWLEH
TWP
65
70
80
ns
Write Recovery Time
TWHAX
TWR
0
ns
TEHAX
TWR
0
ns
Data Hold Time
TWHDX
TDH
0
ns
TEHDX
TDH
0
ns
Write to Output in High Z (1)
TWLQZ
TWHZ
0
30
0
35
0
40
ns
Data to Write Time
TDVWH
TDW
30
35
40
ns
TDVEH
TDW
30
35
40
ns
Output Active from End of Write (1)
TWHQX
TWLZ
5
ns
AC Characteristics Write Cycle
TAVAV
TAVWL
TDVWH
DATA VALID
Q
A
TWHDX
TAVWH
TWLWH
TWHAX
TWHQX
TWLQZ
HIGH Z
W
D
E
TELWH
Write Cycle 1 - W Controlled
Note 1: Parameter guaranteed, but not tested.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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