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参数资料
| 型号： | EDI8F8257C |
| 英文描述： | 256Kx8 Static RAM CMOS, Module(256Kx8 CMOS静态RAM模块（存取时间70，85，100ns）) |
| 中文描述： | 256Kx8静态RAM的CMOS模块（256Kx8的CMOS静态内存模块（存取时间70,85,100纳秒）） |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | EDI8F8257C |
EDI8F8257C
256Kx8 SRAM Module
5
EDI8F8257C Rev. 8.0 4/96 ECO#7470
Write Cycle 2 - E Controlled
Characteristic
Sym
Test Conditions
VDD
Min
Typ
Max
Unit
70
°C85°C
Data Retention Voltage
VDD
VDD = 0.2V
2
--
V
Data Retention Quiescent Current
ICCDR
E
≥ VDD -0.2V
2V
--
10
125
185
A
VIN
≥ VDD -0.2V
3V
--
20
200
250
A
Chip Disable to Data Retention Time
TCDR
or VIN
≤ 0.2V
0
--
ns
Operation Recovery TIme
TR
TAVAV*
--
ns
Data Retention Characteristics
*Read Cycle Time
Data Retention Mode
E
≥VDD -0.2V
E
VCC
TCDR
TR
4.5V
VDD
LP Version Only
E Controlled
A
W
E
D
Q
TAVAV
TAVEL
TEHAX
TDVEH
TEHDX
TELEH
TAVEH
DATA VALID
HIGH Z
TWLEH
Data Retention E Controlled
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PDF描述 |
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参数描述 |
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