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参数资料
| 型号： | EDI8G32512V |
| 英文描述： | 512Kx32 Static RAM CMOS, High Speed Module(512Kx32 高速CMOS静态RAM模块) |
| 中文描述： | 512Kx32的CMOS静态RAM，高速模块（512Kx32高速的CMOS静态内存模块） |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | EDI8G32512V |
4
EDI8G32512V Rev. 0 1/98 ECO #9696
EDI8G32512V
512Kx32 SRAM Module
Notes: 1. Parameter guaranteed, but not tested.
Symbol
15ns
17ns
20ns
Parameter
JEDEC
Alt.
Min Max
Write Cycle Time
TAVAV
TWC
15
17
20
Chip Enable to End of Write
TELWH
TCW
10
12
15
TWLEH
TCW
10
12
15
Address Setup Time
TAVWL
TAS
0
TAVEL
TAS
0
Address Valid to End of Write
TAVWH
TAW
10
12
15
TAVEH
TAW
10
12
15
Write Pulse Width
TWLWH
TWP
10
12
15
TELEH
TWP
10
12
15
Write Recovery Time
TWHAX
TWR
0
TEHAX
TWR
0
Data Hold Time
TWHDX
TDH
0
TEHDX
TDH
0
Write to Output in High Z (1)
TWLQZ
TWHZ
0
7
0
8
0
8
Data to Write Time
TDVWH
TDW
7
8
9
TDVEH
TDW
7
8
9
Output Active from End of Write (1)
TWHQX
TWLZ
2
3
AC Characteristics Write Cycle
Write Cycle 1 - W Controlled
A
E
W
D
Q
TAVAV
TELWH
TAVWH
TWLWH
TAVWL
TDVWH
TWHDX
TWHQX
HIGH Z
TWLQZ
DATA VALID
TWHAX
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PDF描述 |
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参数描述 |
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