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参数资料
| 型号： | EDI8G32512V |
| 英文描述： | 512Kx32 Static RAM CMOS, High Speed Module(512Kx32 高速CMOS静态RAM模块) |
| 中文描述： | 512Kx32的CMOS静态RAM，高速模块（512Kx32高速的CMOS静态内存模块） |
| 文件页数： | 6/6页 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | EDI8G32512V |
6
EDI8G32512V Rev. 0 1/98 ECO #9696
EDI8G32512V
512Kx32 SRAM Module
Electronic Designs Incorporated
One Research Drive Westborough, MA 01581USA 508-366-5151 FAX 508-836-4850
http://www.electronic-designs.com
Electronic Designs Inc. reserves the right to change specifications without notice.
CAGE No. 66301
4Mx32
2Mx32
1Mx32
512Kx32
256Kx32
128Kx32
X32 Pinout Map for 72 pin ZIP
Package Configurations
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参数描述 |
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