参数资料
| 型号： | EL2142CSZ-T7 |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LINE RECEIVER DIFF IN 8-SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 放大器类型： | 差分 |
| 电路数： | 1 |
| 转换速率： | 400 V/µs |
| 增益带宽积： | 200MHz |
| -3db带宽： | 150MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 6µA |
| 电压 - 输入偏移： | 10000µV |
| 电流 - 电源： | 11mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 60mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 6 V ~ 12.6 V，±3 V ~ 6.3 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | EL2142CSZ-T7DKR |
2
FN7049.1
February 11, 2005
Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C)
Supply Voltage (VCC–VEE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12.6V
Maximum Output Current. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±60mA
Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . .-65°C to +150°C
Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Recommended Operating Temperature . . . . . . . . . . . -40°C to 85°C
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.
IMPORTANT NOTE: All parameters having Min/Max specifications are guaranteed. Typical values are for information purposes only. Unless otherwise noted, all tests
are at the specified temperature and are pulsed tests, therefore: TJ = TC = TA
DC Electrical Specifications
VCC = +5V, VEE = -5V, TEE = 25°C, VIN= 0V, RL = 100, unless otherwise specified
PARAMETER
DESCRIPTION
MIN
TYP
MAX
UNITS
VSUPPLY
Supply Operating Range (VCC-VEE)
±3.0
±5.0
±6.3
V
IS
Power Supply Current (no load)
11
14
mA
VOS
Input Referred Offset Voltage
-25
10
40
mV
IIN
Input Bias Current (VIN, VINB, VREF)-20
6
20
A
ZIN
Differential Input Resistance
400
k
Ω
CIN
Differential Input Capacitance
1
pF
VDIFF
Differential Input Range
±2.0
±2.3
V
AVOL
Open Loop Voltage Gain
75
dB
VIN
Input Common Mode Voltage Range
-2.6
+4.0
V
VOUT
Output Voltage Swing (50
Ω load to GND)
±2.9
±3.1
V
IOUT(min)
Minimum Output Current
50
60
mA
VN
Input Referred Voltage Noise
36
nV/
√Hz
VREF
Output Voltage Control Range
-2.5
+3.3
V
PSRR
Power Supply Rejection Ratio
60
70
dB
CMRR2
Input Common Mode Rejection Ratio (VIN= ±2V)
60
70
dB
CMRR1
Input Common Mode Rejection Ratio (full VIN range)
50
60
dB
AC Electrical Specifications
VCC = +5V, VEE = -5V, TA = 25C, VIN = 0V, RLOAD = 100, unless otherwise specified
PARAMETER
DESCRIPTION
MIN
TYP
MAX
UNITS
BW(-3dB)
-3dB Bandwidth (Gain =1)
150
MHz
SR
Slewrate
400
V/s
TSTL
Settling time to 1%
15
ns
GBWP
Gain bandwidth product
200
MHz
VREFBW(-3dB)
VREF -3dB Bandwidth
130
MHz
VREFSR
VREF Slewrate
100
V/sec
dG
Differential gain at 3.58MHz
0.2
%
d
θ
Differential phase at 3.58MHz
0.2
°
EL2142
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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| EL215(TA) | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| EL215(TA)-V | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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