参数资料
| 型号： | EL5111IYE-T7 |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 4/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OPAMP SGL R-R 60MHZ 8-HMSOP |
| 标准包装： | 1,500 |
| 放大器类型： | 电压反馈 |
| 电路数： | 1 |
| 输出类型： | 满摆幅 |
| 转换速率： | 75 V/µs |
| 增益带宽积： | 32MHz |
| -3db带宽： | 60MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 2nA |
| 电压 - 输入偏移： | 3000µV |
| 电流 - 电源： | 2.5mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 65mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 4.5 V ~ 16.5 V，±2.25 V ~ 8.25 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-HMSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
12
FN7119.7
May 7, 2007
The maximum power dissipation actually produced by an IC
is the total quiescent supply current times the total power
supply voltage, plus the power in the IC due to the loads, or:
P
DMAX
ΣiV
[
S
I
SMAX
V
(
S+VOUTi )
I
LOAD i
×
–
+
×]
=
(EQ. 2)
when sourcing, and:
P
DMAX
ΣiV
[
S
I
SMAX
V
(
OUTiVS- )
I
LOADi
×
–
+
×]
=
(EQ. 3)
when sinking,
where:
i = 1 to 2 for dual and 1 to 4 for quad
VS = Total supply voltage
ISMAX = Maximum supply current per amplifier
VOUTi = Maximum output voltage of the application
ILOADi = Load current
If we set the two PDMAX equations equal to each other, we
through 36 provide a convenient way to see if the device will
overheat. The maximum safe power dissipation can be
found graphically, based on the package type and the
ambient temperature. By using the previous equation, it is a
simple matter to see if PDMAX exceeds the device's power
derating curves. To ensure proper operation, it is important
to observe the recommended derating curves shown in
FIGURE 29. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.9
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0
255075
100
125
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DIS
S
IP
A
T
ION
(W
)
85
0.7
0.5
694mW
θJA = +144°C/W
HTSSOP14
FIGURE 30. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY (4-LAYER) TEST BOARD -
HTSSOP EXPOSED DIEPAD SOLDERED TO
PCB PER JESD51-5
3.5
3.0
2.0
1.0
0.5
0.0
0
255075
100
125
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DIS
S
IP
A
T
ION
(W)
85
2.632W
2.5
1.5
θJA = +38°C/W
HTSSOP14
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
1.2
1.0
0.8
0.4
0.2
0.0
025
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
O
WER
DIS
S
IPATION
(W)
1.042W
977mW
893mW
θJA = +140°C/W
TSSOP20
θ
JA = +128°C/W
TSSOP24
θJA = +120°C/W
TSSOP28
125
85
0.6
θJA = +165°C/W
TSSOP14
θ
JA = +148°C/W
TSSOP16
845mW
758mW
FIGURE 31. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
1.8
1.6
1.2
0.6
0.4
0.0
0
25
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
P
O
WER
DIS
S
IPATION
(W)
1.667W
1.471W
1.389W
θJA=+90°C/W
TSSOP20
θJA=+85°C/W
TSSOP24
θJA=+75°C/W
TSSOP28
125
85
0.8
θ
JA=+100°C/W
TSSOP14
θJA=+97°C/W
TSSOP16
1.289W
1.250W
1.4
1.0
0.2
FIGURE 32. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
EL5111, EL5211, EL5411
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 0034.3424 | FUSE 5A 250VAC 6X32 SLOW |
| 8-1676481-8 | RES 36.0K OHM 1/16W 0.1% 0603 |
| 0034.3421 | FUSE 2.5A 250VAC 6X32 SLOW |
| 0459844183 | CONN RCPT R/A 4PWR 40SGL 1.57MM |
| 0459844182 | CONN RCPT R/A 4PWR 40SGL 2.36MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EL5111IYEZ | 功能描述:高速运算放大器 EL5111IYEZ 60 MHZ R2R I/O AMP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| EL5111IYEZ-T13 | 功能描述:高速运算放大器 EL5111IYEZ 60 MHZ R2R I/O AMP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| EL5111IYEZ-T7 | 功能描述:高速运算放大器 EL5111IYEZ 60 MHZ R2R I/O AMP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| EL5111T | 制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:60MHz Rail-to-Rail Input-Output Operational Amplifier |
| EL5111TIWTZ-T7 | 功能描述:高速运算放大器 EL5111TIWTZ SINGLE 60MHZ RRIO OPAMP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 电压增益 dB:116 dB 输入补偿电压:0.5 mV 转换速度:55 V/us 工作电源电压:36 V 电源电流:7.5 mA 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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