参数资料
型号: EL5129IREZ
厂商: Intersil
文件页数: 13/13页
文件大小: 0K
描述: IC BUFFER GAMMA 6-CHAN 20HTSSOP
标准包装: 74
应用: TFT-LCD 面板:伽玛缓冲器,VCOM 驱动器
输出类型: 满摆幅
电路数: 6
-3db带宽: 10MHz
转换速率: 9 V/µs
电流 - 电源: 3.5mA
电流 - 输出 / 通道: 120mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 4.5 V ~ 16.5 V,±2.25 V ~ 8.25 V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)裸露焊盘
供应商设备封装: 20-TSSOP-EP
包装: 管件
9
FN7430.1
May 13, 2005
FIGURE 15. OVERSHOOT vs CAPACITANCE LOAD (VCOM)
FIGURE 16. OUTPUT IMPEDANCE vs FREQUENCY
FIGURE 17. SETTLING TIME vs STEP SIZE
FIGURE 18. TOTAL HARMONIC DISTORTION vs OUTPUT
VOLTAGE
FIGURE 19. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 20. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
VS=±7.5V
RL=10k
VOPP=1V
0
200
400
600
800
CLOAD (pF)
OV
ERSHOO
T
(%
)
10
50
30
40
0
20
1K
10K
100K
1M
10M
FREQUENCY (Hz)
OUTPUT
IMPE
DAN
CE
(
)
1K
100
10
1
0
BUFFER
VS=±5V
VCOM
VS=±7.5V
RL=10k
CL=8pF
2
3456
STEP SIZE (+V)
SETTLI
NG
TIME
(ns)
300
800
500
600
200
400
700
BUFFER
VCOM
VS=±5V
AV=+1
RL=1k
FREQ=200kHz
BUFFER
VCOM
13
68
10
VOPP (V)
TH
D
(dB)
-70
0
-40
-20
-80
-60
-10
27
9
45
-50
-30
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
1
0.9
0.6
0.4
0.3
0.2
0.1
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
D
ISS
IP
AT
ION
(W)
85
0.8
0.5
0.7
125
909mW
714mW
θJA=110°C/W
HTSSOP28
θJA=120°C/W
TSSOP28
θJA=125°C/W
HTSSOP20
833mW
800mW
θJA=140°C/W
TSSOP20
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD - HTSSOP
EXPOSED DIEPAD SOLDERED TO PCB PER
JESD51-5
3.5
3
2.5
1.5
1
0.5
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWE
R
DI
SSI
PATI
ON
(W
)
3.333W
2.857W
125
85
2
1.333W
1.111W
θJA=30°C/W
HTSSOP28
θJA=35°C/W
HTSSOP20
θJA=75°C/W
TSSOP28
θJA=90°C/W
TSSOP20
EL5129, EL5329
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