参数资料
型号: EL5811IREZ
厂商: Intersil
文件页数: 6/12页
文件大小: 0K
描述: IC AMP 60MHZ R-R 8-CHAN 28HTSSOP
标准包装: 50
放大器类型: 通用
电路数: 8
输出类型: 满摆幅
转换速率: 75 V/µs
增益带宽积: 32MHz
-3db带宽: 60MHz
电流 - 输入偏压: 2nA
电压 - 输入偏移: 3000µV
电流 - 电源: 2.5mA
电流 - 输出 / 通道: 65mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 4.5 V ~ 16.5 V,±2.25 V ~ 8.25 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 28-SOIC(0.173",4.40mm 宽)裸露焊盘
供应商设备封装: 28-HTSSOP
包装: 管件
3
FN7355.1
August 3, 2005
Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C)
Supply Voltage between VS+ and VS-. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+18V
Input Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . VS- - 0.5V, VS +0.5V
Maximum Continuous Output Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65mA
Maximum Die Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-65°C to +150°C
Ambient Operating Temperature . . . . . . . . . . . . . . . .-40°C to +85°C
Power Dissipation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . See Curves
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.
IMPORTANT NOTE: All parameters having Min/Max specifications are guaranteed. Typical values are for information purposes only. Unless otherwise noted, all tests
are at the specified temperature and are pulsed tests, therefore: TJ = TC = TA
Electrical Specifications
VS+ = +5V, VS- = -5V, RL = 1k to 0V, TA = 25°C, Unless Otherwise Specified
PARAMETER
DESCRIPTION
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
INPUT CHARACTERISTICS
VOS
Input Offset Voltage
VCM = 0V
3
15
mV
TCVOS
Average Offset Voltage Drift (Note 1)
7
V/°C
IB
Input Bias Current
VCM = 0V
2
60
nA
RIN
Input Impedance
1G
CIN
Input Capacitance
2pF
CMIR
Common-Mode Input Range
-5.5
+5.5
V
CMRR
Common-Mode Rejection Ratio
for VIN from -5.5V to 5.5V
50
70
dB
AVOL
Open-Loop Gain
-4.5V
≤ VOUT ≤ 4.5V
62
70
dB
OUTPUT CHARACTERISTICS
VOL
Output Swing Low
IL = -5mA
-4.92
-4.85
V
VOH
Output Swing High
IL = 5mA
4.85
4.92
V
ISC
Short-Circuit Current
±180
mA
IOUT
Output Current
±65
mA
POWER SUPPLY PERFORMANCE
PSRR
Power Supply Rejection Ratio
VS is moved from ±2.25V to ±7.75V
60
80
dB
IS
Supply Current (Per Amplifier)
No load
2.5
3.75
mA
DYNAMIC PERFORMANCE
SR
Slew Rate (Note 2)
-4.0V
≤ VOUT ≤ 4.0V, 20% to 80%
75
V/s
tS
Settling to +0.1% (AV = +1)
(AV = +1), VO = 2V step
80
ns
BW
-3dB Bandwidth
60
MHz
GBWP
Gain-Bandwidth Product
32
MHz
PM
Phase Margin
50
°
CS
Channel Separation
f = 5MHz
110
dB
dG
Differential Gain (Note 3)
RF = RG = 1k and VOUT = 1.4V
0.17
%
dP
Differential Phase (Note 3)
RF = RG = 1k and VOUT = 1.4V
0.24
°
NOTES:
1. Measured over operating temperature range.
2. Slew rate is measured on rising and falling edges.
3. NTSC signal generator used.
EL5611, EL5811
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