参数资料
型号: EL5824IRE
厂商: Intersil
文件页数: 9/11页
文件大小: 0K
描述: IC BUFFER 10XGAMMA 9.5MA 28HTSSO
标准包装: 50
应用: TFT-LCD 面板:伽玛缓冲器,VCOM 驱动器
输出类型: 满摆幅
电路数: 10
-3db带宽: 12MHz
转换速率: 15 V/µs
电流 - 电源: 9.5mA
电流 - 输出 / 通道: 140mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 4.5 V ~ 16.5 V,±2.25 V ~ 8.25 V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 28-SOIC(0.173",4.40mm 宽)裸露焊盘
供应商设备封装: 28-TSSOP 裸露焊盘
包装: 管件
7
FIGURE 7. SETTLING TIME vs STEP SIZE (BUFFER)
FIGURE 8. TOTAL HARMONIC DISTORTION + NOISE vs
FREQUENCY (BUFFER)
FIGURE 9. OUTPUT SWING vs FREQUENCY (BUFFER)
FIGURE 10. FREQUENCY RESPONSE (VCOM)
FIGURE 11. OPEN LOOP GAIN AND PHASE vs FREQUENCY
FIGURE 12. TRANSIENT LOAD REGULATION - SOURCING
(BUFFER)
Typical Performance Curves (Continued)
10
8
6
4
2
-6
-10
200
400
650
SETTLING TIME (ns)
STEP
SI
ZE
(V)
-2
-8
0
-4
250 300 350
450 500 550 600
VS=±7.5V
RL=10k
CL=12pF
0.018
0.016
0.014
0.012
0.01
0.008
0.006
1K
10K
100K
FREQUENCY (Hz)
THD
+
NOISE
(%)
VS=±5V
RL=10k
VIN=2VP-P
12
10
8
6
4
2
0
10K
100K
1M
10M
FREQUENCY (Hz)
V
OP-P
(V
)
VS=±5V
RL=10k
100K
1M
10M
100M
FREQUENCY (Hz)
4
2
0
-2
-4
-6
N
O
RMAL
IZED
MAGNITUDE
(dB)
VS=±7.5V
RL=1k
CL=2pF
AV=10
AV=5
AV=1
AV=2
70
50
-10
-30
30
10
1K
100M
10K
100K
1M
10M
FREQUENCY (Hz)
GAI
N
(
d
B)
PHASE
)
0
-72
-288
-360
-144
-216
PHASE
GAIN
VS=±5V
RF=1k
RL=1k
CL=1.5pF
5mA
0V
5mA/DIV
500mV/DIV
RS=0
CL=200pF
RS=10
CL=4.7nF
RS=10
CL=1nF
0mA
M=1s/DIV, VS=±7.5V, VIN=0V
EL5524, EL5624, EL5724, EL5824
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PDF描述
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参数描述
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EL5824IREZ 功能描述:运算放大器 - 运放 EL5824IREZ 10 CH GAMMA BUFRS W/VCOM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
EL5824IREZ-T13 功能描述:运算放大器 - 运放 EL5824IREZ 10 CH GAMMA BUFRS W/VCOM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道数量:4 共模抑制比(最小值):63 dB 输入补偿电压:1 mV 输入偏流(最大值):10 pA 工作电源电压:2.7 V to 5.5 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 转换速度:0.89 V/us 关闭:No 输出电流:55 mA 最大工作温度:+ 125 C 封装:Reel
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