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参数资料
| 型号： | EL7532EVAL1Z |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVALUATION BOARD FOR EL7532 |
| 标准包装： | 1 |
| 主要目的： | DC/DC，步降 |
| 输出及类型： | 1，非隔离 |
| 输出电压： | 1.8V |
| 电流 - 输出： | 2A |
| 输入电压： | 2.5 ~ 5.5 V |
| 稳压器拓扑结构： | 降压 |
| 频率 - 开关： | 1.5MHz |
| 板类型： | 完全填充 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | EL7532 |
EL7532
Absolute Maximum Ratings (T A = +25°C)
Thermal Information
V IN , V DD , POR to SGND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +6.5V
Thermal Resistance (Typical)
θ JA (°C/W)
LX to PGND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to (V IN + +0.3V)
RSI, EN, V O , FB to SGND . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to (V IN + +0.3V)
PGND to SGND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +0.3V
Peak Output Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4A
MSOP10 Package (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115
Operating Ambient Temperature . . . . . . . . . . . . . . . .-40°C to +85°C
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-65°C to +150°C
Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C
ESD Classification
Human Body Model (Per JESD22-A114-B) . . . . . . . . . . . . Class 2
CAUTION: Do not operate at or near the maximum ratings listed for extended periods of time. Exposure to such conditions may adversely impact product reliability and
result in failures not covered by warranty.
NOTE:
1. θ JA is measured with the component mounted on a high effective thermal conductivity test board in free air. See Tech Brief TB379 for details.
IMPORTANT NOTE: All parameters having Min/Max specifications are guaranteed. Typ values are for information purposes only. Unless otherwise noted, all tests are
at the specified temperature and are pulsed tests, therefore: T J = T C = T A
Electrical Specifications
V DD = V IN = V EN = 3.3V, C1 = C2 = 10μF, L = 1.8μH, V O = 1.8V, unless otherwise specified.
PARAMETER
DESCRIPTION
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
DC CHARACTERISTICS
V FB
I FB
V IN , V DD
Feedback Input Voltage
Feedback Input Current
Input Voltage
790
2.5
800
810
250
5.5
mV
nA
V
V IN,OFF
V IN,ON
I DD
R DS(ON)-PMOS
Minimum Voltage for Shut-down
Maximum Voltage for Start-up
Supply Current
PMOS FET Resistance
V IN falling
V IN rising
PWM, V IN = V DD = 5V
EN = 0, V IN = V DD = 5V
V DD = 5V, wafer test only
2
2.2
400
0.1
52
2.2
2.4
500
1
80
V
V
μA
μA
m Ω
R DS(ON)-NMOS NMOS FET Resistance
V DD = 5V, wafer test only
35
65
m Ω
T OT,OFF
T OT,ON
Over-temperature Threshold (Note 2)
Over-temperature Hysteresis (Note 2)
T rising
T falling
145
130
°C
°C
I EN , I RSI
EN, RSI Current
V EN , V RSI = 0V and 3.3V
-1
1
μA
V EN1 , V RSI1
V EN2 , V RSI2
V POR
EN, RSI Rising Threshold
EN, RSI Falling Threshold
Minimum V FB for POR, WRT Targeted
V FB Value
V DD = 3.3V
V DD = 3.3V
V FB rising
V FB falling
0.8
86
2.4
95
V
V
%
%
V OLPOR
V LINEREG
V LOADREG
POR Voltage Drop
Line Regulation (Note 2)
Load Regulation (Note 2)
I SINK = 5mA
V IN = 2.5V to 6V, I OUT = 2A, V OUT = 1.8V
V IN = 3.3V, V OUT = 1.8V, I OUT = 0 to 2A
35
0.1
0.5
70
mV
%/V
%
AC CHARACTERISTICS
F PWM
t RSI
t SS
t POR
PWM Switching Frequency
Minimum RSI Pulse Width (Note 2)
Soft-start Time (Note 2)
Power On Reset Delay Time (Note 2)
1.35
80
1.5
25
650
100
1.65
50
120
MHz
ns
μs
ms
NOTE:
2. Not production tested.
2
FN7435.8
November 2, 2007
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PDF描述 |
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