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参数资料
| 型号： | EL7566DRE-EVAL |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 3/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DEMO BOARD FOR EL7566 |
| 标准包装： | 1 |
| 主要目的： | DC/DC，步降 |
| 输出及类型： | 1，非隔离 |
| 输出电压： | 1.8V |
| 电流 - 输出： | 6A |
| 输入电压： | 3 ~ 6 V |
| 稳压器拓扑结构： | 降压 |
| 频率 - 开关： | 500kHz |
| 板类型： | 完全填充 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | EL7566 |
EL7566
Absolute Maximum Ratings (T A = 25°C)
V IN , V DD to SGND. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +6.5V
VX to PGND. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to V IN +0.3V
SGND to PGND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3V to +0.3V
COMP, V REF , FB, V O , V TJ , TM,
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-65°C to +150°C
Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C
Operating Ambient Temperature DRE . . . . . . . . . . . . . 0°C to +85°C
Operating Ambient Temperatute AIRE . . . . . . . . . . .-40°C to +85°C
SEL, PG, EN, STP, STN, C OSC to SGND . . . . . -0.3V to V DD +0.3V
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.
IMPORTANT NOTE: All parameters having Min/Max specifications are guaranteed. Typ values are for information purposes only. Unless otherwise noted, all tests are
at the specified temperature and are pulsed tests, therefore: T J = T C = T A
DC Electrical Specifications
V DD = V IN = 3.3V, T A = T J = 25°C, C OSC = 390pF, Unless Otherwise Specified
PARAMETER
V IN
V REF
DESCRIPTION
Input Voltage Range
Reference Accuracy
CONDITIONS
MIN
3
1.24
TYP
1.26
MAX
6
1.28
UNIT
V
V
V REFTC
Reference Temperature Coefficient
50
ppm/°C
V REFLOAD
V RAMP
Reference Load Regulation
Oscillator Ramp Amplitude
0 < I REF < 50μA
-1
1.15
%
V
I OSC_CHG
I OSC_DIS
Oscillator Charge Current
Oscillator Discharge Current
0.1V < V OSC < 1.25V
0.1V < V OSC < 1.25V
200
8
μA
mA
I VDD
I VDD_OFF
V DD_OFF
V DD_ON
V DD Supply Current
V DD Standby Current
V DD for Shutdown
V DD for Startup
V EN = 1 (L disconnected)
EN = 0
2
2.4
2.6
2.7
1
5
1.5
2.65
2.95
mA
mA
V
V
T OT
T HYS
Over-temperature Threshold
Over-temperature Hysteresis
135
20
°C
°C
I LEAK
I LMAX
Internal FET Leakage Current
Peak Current Limit
EN = 0, L X = 6V (low FET), L X = 0V (high FET)
7.8
10
μA
A
R DSON1
R DSONTC2
R DSONTC
PMOS On Resistance
NMOS On Resistance
R DSON Tempco
29
25
0.2
50
m Ω
m Ω
m Ω /°C
I STP
STP Pin Input Pull-down Current
V STP = V IN /2
-4
2.5
μA
I STN
V PGP
V PGN
STN Pin Input Pull-up Current
Positive Power Good Threshold
Negative Power Good Threshold
V STN = V IN /2
With respect to target output voltage
With respect to target output voltage
6
-14
2.5
4
14
-6
μA
%
%
V PG_HI
V PG_LO
V OVP
Power Good Drive High
Power Good Drive Low
Output Overvoltage Protection
I PG = 1mA
I PG = -1mA
2.6
10
0.5
V
V
%
V FB
V FB_LINE
GM EA
V FB_TC
Output Initial Accuracy
Output Line Regulation
Error Amplifier Transconductance
Output Temperature Stability
I LOAD = 0A
V IN = 3.3V, Δ V IN = 10%, I LOAD = 0A
V CC = 0.65V
0°C < T A < 85°C, I LOAD = 3A
0.79
85
0.8
0.2
125
±1
0.81
0.5
165
V
%
μs
%
F S
I FB
Switching Frequency
Feedback Input Pull-up Current
V FB = 0V
300
370
100
440
200
kHz
nA
3
FN7102.7
May 8, 2006
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PDF描述 |
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参数描述 |
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