参数资料
型号: EL8200IYZ-T13
厂商: Intersil
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描述: IC AMP DUAL R-R 200MHZ 10-MSOP
标准包装: 2,500
放大器类型: 电压反馈
电路数: 2
输出类型: 满摆幅
转换速率: 200 V/µs
增益带宽积: 100MHz
-3db带宽: 200MHz
电流 - 输入偏压: 1.6µA
电压 - 输入偏移: 800µV
电流 - 电源: 2mA
电流 - 输出 / 通道: 65mA
电压 - 电源,单路/双路(±): 3 V ~ 5 V,±1.5 V ~ 2.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商设备封装: 10-MSOP
包装: 带卷 (TR)
9
FN7105.3
August 29, 2007
Simplified Schematic Diagram
FIGURE 25. DISABLED RESPONSE (EL8200)
FIGURE 26. ENABLED RESPONSE (EL8200)
FIGURE 27. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 28. PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
VS=±2.5V, AV=1, RL=1kΩ
CH1, CH2, 0.5V/DIV, M=20ns
CH2
CH1
ENABLE
INPUT
OUTPUT
VS=±2.5V, AV=1, RL=1kΩ
CH1, CH2, 1V/DIV, M=100ns
CH2
CH1
ENABLE
INPUT
VOUT
909mW
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.2
0
25
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWE
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
125
85
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE
THERMAL CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.4
θ
JA =
88
°C
/W
SO
14
θJA=110°C/W
SO8
893mW
870mW
θJA=115°C/W
MSOP10
θJA=112°C/W
QSOP16
1.136W
486mW
θJA=206°C/W
MSOP10
625mW
1
0.9
0.8
0.6
0.4
0.1
0
25
50
75
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POW
E
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
125
85
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE THERMAL
CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.2
0.7
0.3
0.5
833mW
θ
JA =
12
0°C
/W
SO
14
633mW
θJA=158°C/W
θJA=160°C/W
SO8
QSOP16
IN+
IN-
I1
I2
R6
R3
R1
R2
Q1
Q2
R7
VBIAS1
Q5
Q6
R8
Q7
Q8
R9
Q3
Q4
R4
R5
VS-
OUT
VBIAS2
VS+
DIFFERENTIAL TO
DRIVE
GENERATOR
SINGLE ENDED
EL8200, EL8201, EL8401
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PDF描述
N3433-5602 CONN HEADER 50POS R/A LONG LATCH
961254-6300-AR-TP CONN HEADER STR DL 54PS GOLD SMD
521293-1 CONN RECEPT 16-18AWG 0.187 NATRL
TSW-150-06-G-S CONN HEADER 50POS .100" SGL GOLD
208456015001169 CONNECTOR RECEPT 15POS
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