参数资料
| 型号： | EL9214IREZ-T7 |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP QUAD 100MHZ 100MA14HTSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 放大器类型： | 电压反馈 |
| 电路数： | 4 |
| 转换速率： | 115 V/µs |
| 增益带宽积： | 63MHz |
| -3db带宽： | 130MHz |
| 电流 - 输入偏压： | 1.4µA |
| 电压 - 输入偏移： | 1000µV |
| 电流 - 电源： | 8.8mA |
| 电流 - 输出 / 通道： | 300mA |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | 5 V ~ 13.5 V，±2.5 V ~ 6.75 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 14-TSSOP （0.173"，4.40mm 宽）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 14-HTSSOP |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | EL9214IREZ-T7CT |
6
FN7007.1
August 10, 2007
FIGURE 19. SUPPLY CURRENT(PER AMPLIFIER) vs SUPPLY
VOLTAGE
FIGURE 20.
PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 21.
PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 22.
PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
FIGURE 23.
PACKAGE POWER DISSIPATION vs AMBIENT
TEMPERATURE
Typical Performance Curves (Continued)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
VS (±V)
I S
(mA)
±IS
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE
THERMAL CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.5
0.45
0.3
0.2
0.15
0.1
0.05
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWE
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
85
435mW
θJA=230°C/W
SOT23-5/6
0.4
0.25
0.35
125
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE
THERMAL CONDUCTIVITY TEST BOARD
0.45
0.4
0.25
0.15
0.1
0.05
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POW
E
R
DI
SSI
PATI
ON
(W)
85
391mW
θ
JA = +256°C/W
SOT23-5/6
0.35
0.2
0.3
125
JEDEC JESD51-7 HIGH EFFECTIVE
THERMAL CONDUCTIVITY TEST BOARD -
HTSSOP EXPOSED DIEPAD SOLDERED
TO PCB PER JESD51-5
3.5
3
2.5
1.5
1
0.5
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DISS
IP
AT
ION
(W)
125
85
2
2.632W
θJA = +38°C/W
HTSSOP14
JEDEC JESD51-3 LOW EFFECTIVE
THERMAL CONDUCTIVITY TEST BOARD
1
0.9
0.6
0.4
0.3
0.2
0.1
0
255075
100
150
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
POWER
DIS
S
IP
AT
ION
(W)
85
0.8
0.5
0.7
125
694mW
θJA = +144°C/W
HTSSOP14
EL9211, EL9212, EL9214
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