参数资料
型号: EMH1303-TL-E
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 12V 7A EMH8
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 23 毫欧 @ 6A,4.5V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 6V
功率 - 最大: 1.5W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商设备封装: 8-EMH
包装: 带卷 (TR)
EMH1303
--6
ID -- VDS
--10
ID -- VGS
VDS= --6V
--9
--5
--8
--4
V GS= --1
.5V
--7
--6
--3
--2
--1
0
--5
--4
--3
--2
--1
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
80
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT12936
Ta=25°C
80
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT12937
70
60
70
60
--1.8V D
50
40
ID= --0.5A
- -6A
50
40
V GS=
,I =
--0.5A
V, I D=
= --2.5
4.5V, I D
30
20
10
0
30
20
10
0
V GS
V GS= --
--6A
= --6A
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
5
3
? y fs ? -- ID
IT12938
VDS= --6V
--10
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT12939
VGS=0V
2
3
2
-25
=-
5 °
10
7
5
3
2
1.0
7
5
Ta
7
C
° C
25
° C
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
3
2
0.1
5
3
2
--0.001
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
2
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT12940
VDD= --6V
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT12941
f=1MHz
1000
7
5
VGS= --4.5V
3
2
3
2
100
7
5
3
tf
td(off)
tr
1000
7
5
3
2
Ciss
Coss
Crss
2
10
7
5
td(on)
100
7
5
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
Drain Current, ID -- A
IT12942
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT12943
No. A0661-3/7
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