参数资料
| 型号： | EP2AGX190EF29I3 |
| 厂商： | Altera |
| 文件页数： | 66/90页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ARRIA II GX FPGA 190K 780FBGA |
| 标准包装： | 4 |
| 系列： | Arria II GX |
| LAB/CLB数： | 7612 |
| 逻辑元件/单元数： | 181165 |
| RAM 位总计： | 10177536 |
| 输入/输出数： | 372 |
| 电源电压： | 0.87 V ~ 0.93 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 100°C |
| 封装/外壳： | 780-BBGA |
| 供应商设备封装： | 780-FBGA（29x29） |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页当前第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页
Chapter 1: Device Datasheet for Arria II Devices
1–61
Switching Characteristics
December 2013
Altera Corporation
Periphery Performance
This section describes periphery performance, including high-speed I/O, external
memory interface, and IOE programmable delay.
I/O performance supports several system interfaces, for example the high-speed I/O
interface, external memory interface, and the PCI/PCI-X bus interface. I/O using
SSTL-18 Class I termination standard can achieve up to the stated DDR2 SDRAM
interfacing speed with typical DDR2 SDRAM memory interface setup. I/O using
general purpose I/O (GPIO) standards such as 3.0, 2.5, 1.8, or 1.5 LVTTL/LVCMOS
are capable of typical 200 MHz interfacing frequency with 10pF load.
1 Actual achievable frequency depends on design- and system-specific factors. You
should perform HSPICE/IBIS simulations based on your specific design and system
setup to determine the maximum achievable frequency in your system.
High-Speed I/O Specification
Table 1–53 lists the high-speed I/O timing for Arria II GX devices.
Table 1–53. High-Speed I/O Specifications for Arria II GX Devices (Part 1 of 4)
Symbol
Conditions
I3
C4
C5,I5
C6
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Clock
fHSCLK_IN
(input clock
frequency)–Row
I/O
Clock boost
factor, W =
1 to 40 (1)
5
670
5
670
5
622
5
500
MHz
fHSCLK_IN
(input clock
frequency)–
Column I/O
Clock boost
factor, W =
1 to 40 (1)
5
500
5
500
5
472.5
5
472.5
MHz
fHSCLK_OUT
(output clock
frequency)–Row
I/O
—
5
670
5
670
5
622
5
500
MHz
fHSCLK_OUT
(output clock
frequency)–
Column I/O
—
5
500
5
500
5
472.5
5
472.5
MHz
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EP2AGX125DF25I3 | IC ARRIA II GX FPGA 125K 572FBGA |
| EP2AGX95EF35I3 | IC ARRIA II GX FPGA 95K 1152FBGA |
| EP2AGX95EF29I3 | IC ARRIA II GX FPGA 95K 780FBGA |
| IDT71V3556S100PFG8 | IC SRAM 4MBIT 100MHZ 100TQFP |
| EP2AGX65DF25I3 | IC ARRIA II GX FPGA 65K 572FBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EP2AGX190EF29I3N | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Arria II GX 7612 LABs 372 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| EP2AGX190EF29I5 | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Arria II GX 7612 LABs 372 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| EP2AGX190EF29I5N | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Arria II GX 7612 LABs 372 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| EP2AGX190FF35C4 | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Arria II GX 7612 LABs 612 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| EP2AGX190FF35C4N | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Arria II GX 7612 LABs 612 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。