参数资料
| 型号： | EP2AGX260FF35I3 |
| 厂商： | Altera |
| 文件页数： | 66/90页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ARRIA II GX 260K 1152FBGA |
| 标准包装： | 3 |
| 系列： | Arria II GX |
| LAB/CLB数： | 10260 |
| 逻辑元件/单元数： | 244188 |
| RAM 位总计： | 12038144 |
| 输入/输出数： | 612 |
| 电源电压： | 0.87 V ~ 0.93 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 100°C |
| 封装/外壳： | 1152-BBGA |
| 供应商设备封装： | 1152-FBGA（27x27） |
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Chapter 1: Device Datasheet for Arria II Devices
1–61
Switching Characteristics
December 2013
Altera Corporation
Periphery Performance
This section describes periphery performance, including high-speed I/O, external
memory interface, and IOE programmable delay.
I/O performance supports several system interfaces, for example the high-speed I/O
interface, external memory interface, and the PCI/PCI-X bus interface. I/O using
SSTL-18 Class I termination standard can achieve up to the stated DDR2 SDRAM
interfacing speed with typical DDR2 SDRAM memory interface setup. I/O using
general purpose I/O (GPIO) standards such as 3.0, 2.5, 1.8, or 1.5 LVTTL/LVCMOS
are capable of typical 200 MHz interfacing frequency with 10pF load.
1 Actual achievable frequency depends on design- and system-specific factors. You
should perform HSPICE/IBIS simulations based on your specific design and system
setup to determine the maximum achievable frequency in your system.
High-Speed I/O Specification
Table 1–53 lists the high-speed I/O timing for Arria II GX devices.
Table 1–53. High-Speed I/O Specifications for Arria II GX Devices (Part 1 of 4)
Symbol
Conditions
I3
C4
C5,I5
C6
Unit
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Clock
fHSCLK_IN
(input clock
frequency)–Row
I/O
Clock boost
factor, W =
1 to 40 (1)
5
670
5
670
5
622
5
500
MHz
fHSCLK_IN
(input clock
frequency)–
Column I/O
Clock boost
factor, W =
1 to 40 (1)
5
500
5
500
5
472.5
5
472.5
MHz
fHSCLK_OUT
(output clock
frequency)–Row
I/O
—
5
670
5
670
5
622
5
500
MHz
fHSCLK_OUT
(output clock
frequency)–
Column I/O
—
5
500
5
500
5
472.5
5
472.5
MHz
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