参数资料
| 型号： | EP7312-CB |
| 厂商： | Cirrus Logic Inc |
| 文件页数： | 30/54页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ARM720T MCU 74MHZ 256-PBGA |
| 标准包装： | 90 |
| 系列： | EP7 |
| 核心处理器： | ARM7 |
| 芯体尺寸： | 32-位 |
| 速度： | 74MHz |
| 连通性： | 编解码器，DAI，EBI/EMI，IrDA，键盘，SPI/Microwire1，UART/USART |
| 外围设备： | LCD，LED，MaverickKey，PWM |
| 输入/输出数： | 27 |
| 程序存储器类型： | ROMless |
| RAM 容量： | 56K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.3 V ~ 2.7 V |
| 振荡器型： | 外部 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-BGA |
| 包装： | 托盘 |
| 配用： | 598-1209-ND - KIT DEVELOPMENT EP73XX ARM7 |
| 其它名称： | 598-1232 |
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36
Copyright Cirrus Logic, Inc. 2011
(All Rights Reserved)
DS508F2
EP7312
High-Performance, Low-Power System on Chip
161
WAKEUP
Schmitt
I
System wake up input
162
nPWRFL
I
Power fail sense input
163
A[6]
1
Low
O
System byte address
164
D[6]
1
Low
I/O
Data I/O
165
A[5]
1
Low
Out
System byte address
166
D[5]
1
Low
I/O
Data I/O
167
VDDIO
Pad Pwr
Digital I/O power, 3.3 V
168
VSSIO
Pad Gnd
I/O ground
169
A[4]
1
Low
O
System byte address
170
D[4]
1
Low
I/O
Data I/O
171
A[3]
2
Low
O
System byte address
172
D[3]
1
Low
I/O
Data I/O
173
A[2]
2
Low
O
System byte address
174
VSSIO
Pad Gnd
I/O ground
175
D[2]
1
Low
I/O
Data I/O
176
A[1]
2
Low
O
System byte address
177
D[1]
1
Low
I/O
Data I/O
178
A[0]
2
Low
O
System byte address
179
D[0]
1
Low
I/O
Data I/O
180
VSSCORE
Core ground
181
VDDCORE
Core Pwr
Core power, 2.5 V
182
VSSIO
Pad ground
I/O ground
183
VDDIO
Pad Power
Digital I/O power, 3.3 V
184
CL[2]
1
Low
O
LCD pixel clock out
185
CL[1]
1
Low
O
LCD line clock
186
FRM
1
Low
O
LCD frame synchronization
pulse
187
M
1
Low
O
LCD AC bias drive
188
DD[3]
1
Low
I/O
LCD serial display data
189
DD[2]
1
Low
I/O
LCD serial display data
190
VSSIO
Pad Gnd
I/O ground
191
DD[1]
1
Low
I/O
LCD serial display data
192
DD[0]
1
Low
I/O
LCD serial display data
193
nSDCS[1]
1
High
O
SDRAM chip select 1
194
nSDCS[0]
1
High
O
SDRAM chip select 0
195
SDQM[3]
2
Low
I/O
SDRAM byte lane mask
196
SDQM[2]
2
Low
I/O
SDRAM byte lane mask
197
VDDIO
Pad Pwr
Digital I/O power, 3.3 V
198
VSSIO
Pad Gnd
I/O ground
199
SDCKE
2
Low
I/O
SDRAM clock enable output
200
SDCLK
2
Low
I/O
SDRAM clock out
201
nMWE/nSDWE
1
High
O
ROM, expansion write
enable/ SDRAM write enable
control signal
202
nMOE/nSDCAS
1
High
O
ROM, expansion OP
enable/SDRAM CAS control
signal
203
VSSIO
Pad Gnd
I/O ground
204
nCS[0]
1
High
O
Chip select 0
205
nCS[1]
1
High
O
Chip select 1
Table 20. 208-Pin LQFP Numeric Pin Listing (Continued)
Pin
No.
Signal
Strength
Reset
State
Type
Description
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