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参数资料
| 型号： | EPC8 |
| 厂商： | Altera Corporation |
| 英文描述： | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| 中文描述： | 配置SRAM器件基于LUT的器件 |
| 文件页数： | 12/36页 |
| 文件大小： | 283K |
| 代理商： | EPC8 |
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12
Altera Corporation
Configuration Devices for SRAM-based LUT Devices Data Sheet
Notes to
Table 3
:
(1)
Do not use EPC2 devices to configure FLEX 6000 devices.
(2)
Pin-out information for EPC8 and EPC16 configuration devices, please refer to each respective data sheet.
(3)
This package is available for EPC1 and EPC1441 devices only.
(4)
This package is available for EPC2 and EPC1441 devices only.
(5)
The
OE
,
nCS
, and
nINIT_CONF
pins on EPC2 devices have internal, user-configurable 1-k
pull-up resistors. If
internal pull-up resistors are used, external pull-up resistors should not be used on these pins.
(6)
The EPC1441 device does not support data cascading. EPC2 and EPC1 devices support data cascading.
(7)
This pin applies to the EPC2 device only.
APEX II, APEX 20K, Merucry, ACEX 1K, FLEX 10K & FLEX 6000
Device Configuration with Multiple EPC2 or EPC1 Configuration
Devices
When configuration data for APEX II, APEX 20K, Mercury, ACEX 1K,
and FLEX devices exceeds the capacity of a single EPC2 or EPC1
configuration device, multiple EPC2 or EPC1 devices can be cascaded
together. If multiple EPC2 or EPC1 devices are required, the
nCASC
and
nCS
pins provide handshaking between the devices.
1
EPC8 and EPC16 configuration devices cannot be cascaded
together. The EPC1441 device does not support data cascading.
VCC
7, 8
5
20
10
27
12
Power
Ground Ground pin. A 0.2-
μ
F decoupling capacitor must be
placed between the
VCC
and
GND
pins.
Power pin.
GND
Table 3. EPC2, EPC1, & EPC1441 Pin Functions During APEX II, APEX 20K, Mercury, ACEX 1K, FLEX 10K
& FLEX 6000 Configuration (Part 3 of 3)
Notes (1)
,
(2)
Pin Name
Pin Number
Pin
Type
Description
8-Pin
PDIP
(3)
20-Pin
PLCC
32-Pin
TQFP
(4)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EPC1 | 433800612 |
| EPC1 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC1064 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC1064V | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC1213 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EPC-8 | 制造商:Curtis Industries 功能描述: |
| EPC8002 | 功能描述:TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:65V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:530 毫欧 @ 500mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:21pF @ 32.5V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:1 |
| EPC8002ENGR | 制造商:Efficient Power Conversion 功能描述:TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
| EPC8002TENGR | 制造商:Efficient Power Conversion 功能描述:TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
| EPC8003ENGR | 制造商:Efficient Power Conversion 功能描述:TRAN GAN 100V 2.5A BUMPED DIE |
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