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参数资料
| 型号： | EPC8 |
| 厂商： | Altera Corporation |
| 英文描述： | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| 中文描述： | 配置SRAM器件基于LUT的器件 |
| 文件页数： | 2/36页 |
| 文件大小： | 283K |
| 代理商： | EPC8 |
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2
Altera Corporation
Configuration Devices for SRAM-based LUT Devices Data Sheet
■
EPC4, EPC8, and EPC16 configuration devices have reprogrammable
Flash configuration memory with density up to 16,000,000 or
32,000,000 bits with compression feature in these devices.
f
For detailed information on configuration devices, refer to the
Enhanced
Configuration Devices (EPC4, EPC8, & EPC16) Data Sheet
.
Figure 1. EPC1, EPC1441, EPC1213, EPC1064, & EPC1064V Package Pin-Out Diagrams
Note (1)
Notes to
Figure 1
:
(1)
EPC1, EPC1441, EPC1213, and EPC1064 devices are one-time programmable devices. ISP programming is not
available in these devices because they do not have JTAG pins.
(2)
The
nCASC
pin is available on EPC1 and EPC1213 devices. On the EPC1064, EPC1064V, and EPC1441 devices, it is
a reserved pin and should not be connected.
8-Pin PDIP
32-Pin TQFP
EPC1441
EPC1064
EPC1064V
20-Pin PLCC
EPC1
EPC1441
EPC1213
EPC1064
EPC1064V
EPC1
EPC1441
EPC1213
EPC1064
EPC1064V
DATA
DCLK
OE
nCS
VCC
VCC
nCASC (2)
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
1
2
3
4
5
6
7
8
20
19
10
13
18
17
16
15
14
OE
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
DCLK
N
N
N
D
V
VCC
N
N
(
n
G
30
31
32
1
2
3
4
5
29
28
DCLK
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
N.C.
n
G
24
23
22
21
20
VCC
19
18
17
N
N
N
N
N
N
N
N
N
N
N
N
D
V
25
9
16
8
OE
6
7
10
11
12
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14
15
27
26
9
11
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EPC1 | 433800612 |
| EPC1 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC1064 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC1064V | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
| EPC1213 | Configuration Devices for SRAM-Based LUT Devices |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EPC-8 | 制造商:Curtis Industries 功能描述: |
| EPC8002 | 功能描述:TRANS GAN 65V 2.7A BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓 FET 功能:标准 漏源极电压（Vdss）:65V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:530 毫欧 @ 500mA，5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:21pF @ 32.5V 功率 - 最大值:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标准包装:1 |
| EPC8002ENGR | 制造商:Efficient Power Conversion 功能描述:TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
| EPC8002TENGR | 制造商:Efficient Power Conversion 功能描述:TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
| EPC8003ENGR | 制造商:Efficient Power Conversion 功能描述:TRAN GAN 100V 2.5A BUMPED DIE |
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