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参数资料
| 型号： | EPF10K200EFC672-2 |
| 英文描述： | Field Programmable Gate Array (FPGA) |
| 中文描述： | 现场可编程门阵列（FPGA） |
| 文件页数： | 73/120页 |
| 文件大小： | 1901K |
| 代理商： | EPF10K200EFC672-2 |
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Altera Corporation
FLEX 10KE Embedded Programmable Logic Family Data Sheet
tCLR
LE register clear delay
tCH
Minimum clock high time from clock pin
tCL
Minimum clock low time from clock pin
Table 24. LE Timing Microparameters (Part 2 of 2)
Note (1)
Symbol
Parameter
Condition
Table 25. IOE Timing Microparameters
Symbol
Parameter
Conditions
tIOD
IOE data delay
tIOC
IOE register control signal delay
tIOCO
IOE register clock-to-output delay
tIOCOMB
IOE combinatorial delay
tIOSU
IOE register setup time for data and enable signals before clock; IOE
register recovery time after asynchronous clear
tIOH
IOE register hold time for data and enable signals after clock
tIOCLR
IOE register clear time
tOD1
Output buffer and pad delay, slow slew rate = off, VCCIO = 3.3 V
C1 = 35 pF (2)
tOD2
Output buffer and pad delay, slow slew rate = off, VCCIO = 2.5 V
C1 = 35 pF (3)
tOD3
Output buffer and pad delay, slow slew rate = on
C1 = 35 pF (4)
tXZ
IOE output buffer disable delay
tZX1
IOE output buffer enable delay, slow slew rate = off, VCCIO = 2.5 V
C1 = 35 pF (2)
tZX2
IOE output buffer enable delay, slow slew rate = off, VCCIO = 3.5 V
C1 = 35 pF (3)
tZX3
IOE output buffer enable delay, slow slew rate = on
C1 = 35 pF (4)
tINREG
IOE input pad and buffer to IOE register delay
tIOFD
IOE register feedback delay
tINCOMB
IOE input pad and buffer to FastTrack Interconnect delay
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EPF10K200EFC672-3 | Field Programmable Gate Array (FPGA) |
| EPF10K200SBC356-1 | Field Programmable Gate Array (FPGA) |
| EPF10K200SBC356-1X | Field Programmable Gate Array (FPGA) |
| EPF10K200SBC356-2 | Field Programmable Gate Array (FPGA) |
| EPF10K200SBC356-2X | Field Programmable Gate Array (FPGA) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EPF10K200EFC672-3 | 功能描述:FPGA - 现场可编程门阵列 FPGA - Flex 10K 1248 LABs 470 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 栅极数量: 逻辑块数量:943 内嵌式块RAM - EBR:1956 kbit 输入/输出端数量:128 最大工作频率:800 MHz 工作电源电压:1.1 V 最大工作温度:+ 70 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:FBGA-256 |
| EPF10K200EGC599-1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Altera Corporation 功能描述: |
| EPF10K200EGC599-2 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Altera Corporation 功能描述: |
| EPF10K200EGC599-3 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Altera Corporation 功能描述: |
| EPF10K200S | 制造商:ALTERA 制造商全称:Altera Corporation 功能描述:Embedded Programmable Logic Device |
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