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参数资料
| 型号： | ES1C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 104K |
| 描述： | DIODE FAST 1A 150V SMA |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 150V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 920mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 15ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 150V |
| 电容@ Vr, F： | 7pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | DO-214AC（SMA） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ES1CFSDKR |
ES1A - ES1D
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
ES1A-ES1D, Rev. C1
Fast Rectifiers
Absolute Maximum Ratings*
TA
= 25°C unless otherwise noted
Electrical Characteristics
TA
= 25°C unless otherwise noted
ES1A - ES1D
Features
? For surface mount applications.
?
Glass passivated junction.
?
Low profile package.
?
Easy pick and place.
? Built-in strain relief.
?
Superfast recovery times for
high efficiency.
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
SMA/DO-214AC
COLOR BAND DENOTES CATHODE
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Value
Units
PD
Power Dissipation 1.47 W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient* 85
°C/W
RθJL
Thermal Resistance, Junction to Lead* 35
°C/W
Symbol
Parameter
Device
Units
1A 1B 1C 1D
VF
Forward Voltage @ 1.0 A 0.92 V
trr
Reverse Recovery Time
I
F = 0.5 A, IR = 1.0 A, IRR = 0.25 A
15 ns
IR
Reverse Current @ rated VR TA = 25°C
5.0
μA
100
μA
T
A = 100°C
Total Capacitance
7.0 pF
CT
V
R = 4.0 V, f = 1.0 MHz
Value
Symbol
Parameter
1A 1B 1C 1D
Units
VRRM
Maximum Repetitive Reverse Voltage 50 100 150 200 V
IF(AV)
Average Rectified Forward Current, @ T
A=120°C 1.0 A
IFSM
Non-repetitive Peak Forward Surge Current
8.3 ms Single Half-Sine-Wave
30 A
Tstg
Storage Temperature Range -50 to +150
°C
TJ
Operating Junction Temperature -50 to +150
°C
*Device mounted on FR-4 PCB 0.013 mm.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ES1H | DIODE FAST 1A 500V SMA |
| ES1PDHM3/84A | DIODE 1A 200V DO-220AA SMP |
| ES2C | DIODE FAST 2A 150V SMB |
| ES2D-13-F | DIODE SUPER FAST REC 2A 200V SMB |
| ES2G-13-F | DIODE SUPER FAST 2A 400V SMB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ES1C | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE ULTRA-FAST SMD 1A 150V |
| ES1C/11T | 功能描述:整流器 1.0 Amp 150 Volt 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| ES1C/13T | 功能描述:整流器 1.0 Amp 150 Volt 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| ES1C/1T | 功能描述:整流器 1.0 Amp 150 Volt 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| ES1C/2GT | 功能描述:整流器 1.0 Amp 150 Volt 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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