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参数资料
| 型号： | ES1C |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 104K |
| 描述： | DIODE FAST 1A 150V SMA |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 150V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 1A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 920mV @ 1A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 15ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5µA @ 150V |
| 电容@ Vr, F： | 7pF @ 4V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | DO-214AC，SMA |
| 供应商设备封装： | DO-214AC（SMA） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ES1CFSDKR |
ES1A - ES1D
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
ES1A-ES1D, Rev. C1
Typical Characteristics
Pulse
Generator
(Note 2)
50?50?
trr
+0.5A
NONINDUCTIVE
NONINDUCTIVE
DUT
(-)
?(+)
OSCILLOSCOPE
(Note 1)
50
NONINDUCTIVE
50V
(approx)
NOTES:
1. Rise time = 7.0 ns max; Input impedance = 1.0 megaohm 22 pf.
2. Rise time = 10 ns max; Source impedance = 50 ohms.
Reverse Recovery Time Characterstic and Test Circuit Diagram
1.0cm
SET
TIME
BASE
FOR
0
-0.25A
-1.0A
5/
10
ns/ cm
012
51020
50100
5
10
15
20
25
30
Number of Cycles at 60Hz
Peak Forward Surge Current, I
FSM
[A]
0.0010.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
Forward Voltage, VF
[V]
Figure 1. Forward Current Derating Curve Figure 2. Forward Voltage Characteristics
Forward Current, I
F
[A]
Pulse
Width =
300μμμμs
2%
Duty
Cycle
TA =
25o
C
0.1
0
20406080100120140
1
10
100
1000
Percent of Rated Peak Reverse Voltage [%]
Reverse Current, I
R
[uA]
T = 25 C
A
o
T = 75 C
A
o
T = 125 C
A
o
00 25 50 75 100 125 150 175
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
Ambient Temperature [oC]
Average Rectified Forward Current, I
F
[A]
RESISTIVE OR
INDUCTIVE LOAD
P. C. B . M O UN TE D
ON 0.2 x 0.2"
(5.0 x 5.0 mm)
COPPER PAD AREAS
00.1 1 10 100
2
4
6
8
10
12
14
Reverse Voltage, VR
[V]
Figure 5. Total Capacitance
Total Capacitance, C
T
[pF]
Figure 3. Non-Repetitive Surge Current Figure 4. Reverse Current vs Reverse Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ES1H | DIODE FAST 1A 500V SMA |
| ES1PDHM3/84A | DIODE 1A 200V DO-220AA SMP |
| ES2C | DIODE FAST 2A 150V SMB |
| ES2D-13-F | DIODE SUPER FAST REC 2A 200V SMB |
| ES2G-13-F | DIODE SUPER FAST 2A 400V SMB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ES1C | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE ULTRA-FAST SMD 1A 150V |
| ES1C/11T | 功能描述:整流器 1.0 Amp 150 Volt 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| ES1C/13T | 功能描述:整流器 1.0 Amp 150 Volt 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| ES1C/1T | 功能描述:整流器 1.0 Amp 150 Volt 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| ES1C/2GT | 功能描述:整流器 1.0 Amp 150 Volt 30 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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