参数资料
型号: ES1PAHE3/85A
厂商: Vishay General Semiconductor
文件页数: 3/3页
文件大小: 78K
描述: DIODE 1A 50V DO-220AA SMP
标准包装: 10,000
系列: eSMP™
二极管类型: 标准
电压 - (Vr)(最大): 50V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 920mV @ 1A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间(trr): 25ns
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 5µA @ 50V
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: DO-220AA
供应商设备封装: DO-220AA(SMP)
包装: 带卷 (TR)
‘lllvVISHAYQV Www.Vishay.com
100
D
01
instantaneous Forward Current (A)
0.2 0.4 0.6 0.5 1.0 1.2 1.4
Instantaneous Forward Voltage (V)
Fig. 3 - Typical Instantaneous FonNard Characteristics
10 000
(UA)
100
D
01
instantaneous Reverse Current
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
Fig. 4 - Typical Reverse Leakage Characteristics
Es1 PB, ES1 PC, Es1 PD
Vishay General Semiconductor
100
o
Junction Capacitance (pF)
0.1 1 10 100
Reverse Voltage (V)
Fig. 5 - Typical Junction Capacitance
1000
100
Transient Thermal impedance (“C/W)
3
t- Pulse Duration (s)
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance
PACKAGE ouTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Do—220AA (SMP)
Cathode Band
if
4.‘ (4, 0.012 (0.30) REF.
l
0.086 (2.18) 0.053 (1.35) 0.036 (0.91)
0.074 (1.88) 0.041 (1.05) 0.024 (0.51)0.142 (3.61) ‘ ‘ 0.103 (2.60) 0.032 (0.80)
0-‘26(3-lg) 0.087 (2.20) a 4’ ‘7 0.015(0.40)
0.158(4.00)
0.146 (3.70)0.025 0.030(0.635) (0.762)
0.105
“? (2.67)
0.013 (0.35)
0004 (010)lCl ? 0.012 (0.30) 0.018 (0.45)
0.000 (0.00) 0.006 (0.15)
Revision: 30?Oct-13
0.045 (1.15)
0.033 (0.85)7 0.050
(1.27)3 Document Number: 88918
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PDF描述
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ES1PA-M3/84A 功能描述:DIODE ULTRA FAST 1A 50V SMP RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:eSMP™ 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)(最大):50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座,接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA,DO-4,接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879
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