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参数资料
| 型号： | ES29BDS160FT-70TGI |
| 厂商： | 优先(苏州)半导体有限公司 |
| 英文描述： | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 的4Mb（512Kx 8/256K × 16），3.0伏的CMOS只，引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 30/51页 |
| 文件大小： | 697K |
| 代理商： | ES29BDS160FT-70TGI |
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ES I
36
Rev.0B January 5, 2006
ES29LV400E
Excel Semiconductor inc.
Address
OE#
WE#
DQ6/DQ2
CE#
RY/BY#
Figure 23. Toggle Bit Timings (During Embedded Algorithms)
tOEPH
tDH
tAHT
tASO
tOEH
Valid Status
Valid Data
tCEPH
tAHT
tAS
tOE
(first read)
(second read)
(stops toggling)
NOTE : VA = Valid address; not required for DQ6. Illustration shows first two status cycle after command sequence, last status read
cycle, and array data read cycle.
DQ6
WE#
Enter
Embedded
Erasing
DQ2
Enter
Suspend
Erase
Suspend
Read
Enter Erase
Suspend
Program
Erase
Suspend
Program
Erase
Suspend
Read
Erase
Resume
Erase
Complete
Figure 24. DQ2 vs. DQ6
NOTE : DQ2 toggles only when read at an address within an erase-suspended sector. The system may use OE# or CE# to toggle
DQ2 and DQ6.
AC CHARACTERISTICS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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