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参数资料
| 型号： | ES29BDS320ET-90RTGI |
| 厂商： | 优先(苏州)半导体有限公司 |
| 英文描述： | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 的4Mb（512Kx 8/256K × 16），3.0伏的CMOS只，引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 2/51页 |
| 文件大小： | 697K |
| 代理商： | ES29BDS320ET-90RTGI |
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ES I
10
Rev.0B January 5, 2006
ES29LV400E
Excel Semiconductor inc.
Operation
CE#
OE#
WE#
RESET#
Addresses
(Note 1)
DQ0
~
DQ7
DQ8~DQ15
BYTE#
= VIH
BYTE#
= VIL
Read
L
H
AIN
DOUT
DQ8~DQ14 = High-Z,
DQ15 = A-1
Write
L
H
L
H
AIN
(Note 3)
Standby
Vcc+
0.3V
XX
Vcc+
0.3V
X
High-Z
Output Disable
Reset
L
H
X
High-Z
X
L
X
High-Z
In-system
Sector Protect
(Note 2)
LH
L
VID
SA,A6=L,
A1=H,A0=L
(Note 3)
X
Sector Unprotect
(Note 2)
L
H
L
VID
SA,A6=H,
A1=H,A0=L
(Note 3)
X
Temporary Sector
Unprotect
X
VID
AIN
(Note 3)
High-Z
A9 High-Volt-
age Method
Sector protect
L
VID
L
H
SA,A9=VID,
A6=L,
A1=H,A0=L
(Note 3)
High-Z
Sector unprotect
L
VID
LH
SA,A9=VID,
A6=H,
A1=H,A0=L
Table 1. ES29LV400 Device Bus Operations
Legend: L=Logic Low=VIL, H=Logic High=VIH, VID=11.5-12.5V, X=Don’t Care, SA=Sector Address, AIN=Address In, DIN=Data In,
DOUT=Data Out
Notes:
1. Addresses are A17:A0 in word mode (BYTE#=VIH) , A17:A-1 in byte mode (BYTE#=VIL).
2. The sector protect and sector unprotect functions may also be implemented via programming equipment. See the “Sector Pro-
tection and Unprotection” section.
3. DIN or DOUT as required by command sequence, data polling, or sector protection algorithm.
Description
CE# OE# WE#
A17
to
A12
A11
to
A10
A9
A8
to
A7
A6
A5
to
A2
A1
A0
DQ8~DQ15
DQ7~DQ0
BYTE#
= VIH
BYTE#
= VIL
ManufactureID:ESI
L
H
XX
VID
XL
X
L
X
X4Ah
Device ID:
ES29LV400
LLH
X
VID
X
L
X
L
H
22h
X
B9h(T),BAh(B)
Sector Protection
Verification
LLH
SA
X
VID
XL
X
H
L
X
01h(protected)
00h(unprotected)
Legend: T= Top Boot Block, B = Bottom Boot Block, L=Logic Low=VIL, H=Logic High=VIH, SA=Sector Address, X = Don’t care
Table 2. Autoselect Codes (A9 High-Voltage Method)
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PDF描述 |
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