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参数资料
| 型号： | ES29BDS400FT-70RWCI |
| 厂商： | 优先(苏州)半导体有限公司 |
| 英文描述： | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 的4Mb（512Kx 8/256K × 16），3.0伏的CMOS只，引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 13/51页 |
| 文件大小： | 697K |
| 代理商： | ES29BDS400FT-70RWCI |
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ES I
20
Rev.0B January 5, 2006
ES29LV400E
Excel Semiconductor inc.
Program
Unlock
Bypass
Auto-
select
Read
Chip
Erase
Sector
Erase
Erase-
suspend
Read
PA/PD
A0
20
90
00
F0
Resume
30
B0
Suspend
50us
SA/30
10
55
AA
80
55
AA
Done
90
COMMAND DIAGRAM
Figure 8. Command Diagram
Done
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ES2BA | 2 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| ES3250402ATL | POWER/SIGNAL RELAY, 3PDT, MOMENTARY, 0.097A (COIL), 28VDC (COIL), 2716mW (COIL), 25A (CONTACT), 28VDC (CONTACT), PANEL MOUNT |
| ES52K1C05N-20.000MTR | TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 20 MHz |
| ESAC25-04C | 10 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| ESAC33-02(CS) | 10 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ES29BDS400FT-80TG | 制造商:EXCELSEMI 制造商全称:EXCELSEMI 功能描述:16Mbit(2M x 8/1M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS400FT-90RTG | 制造商:EXCELSEMI 制造商全称:EXCELSEMI 功能描述:8Mbit(1M x 8/512K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
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| ES29BDS640D-12RTG | 制造商:EXCELSEMI 制造商全称:EXCELSEMI 功能描述:32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
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