参数资料
型号: ESD11A5.0DT5G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 0K
描述: TVS UNIDIR 150MW 5.0V SOT-1123
产品变化通告: Wire Bond Change 01/Dec/2010
标准包装: 8,000
电压 - 反向隔离(标准值): 5V
电压 - 击穿: 6.2V
电极标记: 2 通道阵列 - 单向
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-1123
供应商设备封装: SOT-1123
包装: 带卷 (TR)
ESD11A3.3DT5G SERIES
Figure 1. ESD11A3.3D Clamping Voltage Screenshot
Positive 8 kV contact per IEC 61000 ? 4 ? 2
Figure 3. ESD11A5.0D Clamping Voltage Screenshot
Positive 8 kV contact per IEC 61000 ? 4 ? 2
Figure 2. ESD11A3.3D Clamping Voltage Screenshot
Negative 8 kV contact per IEC 61000 ? 4 ? 2
Figure 4. ESD11A5.0D Clamping Voltage Screenshot
Negative 8 kV contact per IEC 61000 ? 4 ? 2
http://onsemi.com
3
相关PDF资料
PDF描述
ESD11B5.0ST5G TVS BIDIR 250MW 5V DSN2
ESD11L5.0DT5G TVS ESD UNIDIRECT 150MW SOT-1123
ESD11N5.0ST5G TVS BIDIR 250MW 5V DSN2
ESD1P0RFWE6327 DIODE RF ESD 1CH SOT323
ESD3V3U1U-02LS E6327 DIODE TVS 3.3V TSSLP-2-1
相关代理商/技术参数
参数描述
ESD11B5.0SMT5G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 BI DIR MID CAP TVS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
ESD11B5.0ST5G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 BI DIR MID CAP TVS RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C
ESD11H120 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:SWITCH
ESD11L5.0DT5G 功能描述:TVS二极管阵列 LO CAP ESD PROT 5.0V RoHS:否 制造商:Littelfuse 极性: 通道:4 Channels 击穿电压: 钳位电压:11.5 V 工作电压:2.5 V 峰值浪涌电流:20 A 安装风格:SMD/SMT 端接类型:SMD/SMT 系列: 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C
ESD11N5.0ST5G 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 LOW CAP BI DIRECT TV RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C