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参数资料
| 型号： | ESD7L5.0DT5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS ULT LOW CAP SOT-723 |
| 产品变化通告： | Wire Bond Change 01/Dec/2010 |
| 产品目录绘图： | ESD7C SOD-723 Schematic |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 5V |
| 电压 - 击穿： | 5.4V |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-723 |
| 供应商设备封装： | SOT-723 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ESD7L5.0DT5GOSDKR |
ESD7L, SESD7L
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T A = 25 ° C unless otherwise noted)
I
Symbol
I PP
V C
Parameter
Maximum Reverse Peak Pulse Current
Clamping Voltage @ I PP
I F
I R V F
V RWM
I R
V BR
Working Peak Reverse Voltage
Maximum Reverse Leakage Current @ V RWM
Breakdown Voltage @ I T
V C V BR V RWM
I T
V
I T
I F
Test Current
Forward Current
V F
P pk
C
Forward Voltage @ I F
Peak Power Dissipation
Capacitance @ V R = 0 and f = 1.0 MHz
I PP
Uni ? Directional TVS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless otherwise noted, V F = 1.1 V Max. @ I F = 10 mA for all types)
V RWM
(V)
I R ( m A)
@ V RWM
V BR (V)
@ I T
(Note 2)
I T
C (pF),
uni ? directional
(Note 3)
C (pF),
bi ? directional
(Note 4)
V C (V)
@ I PP = 1 A
(Note 5)
V C
Per
IEC61000 ?
Device*
ESD7L5.0DT5G
Device
Marking
L6
Max
5.0
Max
1.0
Min
5.4
mA
1.0
Typ
0.5
Max
0.9
Typ
0.25
Max
0.45
Max
10.4
4 ? 2
(Note 6)
Figures 1
and 2
* Include S-prefix devices where applicable.
2. V BR is measured with a pulse test current I T at an ambient temperature of 25 ° C.
3. Uni ? directional capacitance at f = 1 MHz, V R = 0 V, T A = 25 ° C (pin1 to pin 3; pin 2 to pin 3).
4. Bi ? directional capacitance at f = 1 MHz, V R = 0 V, T A = 25 ° C (pin1 to pin 2).
5. Surge current waveform per Figure 5.
6. Typical waveform. For test procedure see Figures 3 and 4 and Application Note AND8307/D.
Figure 1. ESD Clamping Voltage Screenshot
Positive 8 kV contact per IEC 61000 ? 4 ? 2
Figure 2. ESD Clamping Voltage Screenshot
Negative 8 kV contact per IEC 61000 ? 4 ? 2
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| ESD7V0D9-TP | 功能描述:ESD 抑制器 Uni-dir 10mA, 7V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
| ESD8004MUTAG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:LOW CAP ESD PROTECTION - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / LOW CAP ESD PROTECTION |
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