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参数资料
| 型号： | ESD9B3.3ST5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS ESD BIDIRECT 300MW SOD-923 |
| 产品变化通告： | Copper Wire Change 19/May/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 3.3V |
| 电压 - 击穿： | 5V |
| 电极标记： | 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOD-923 |
| 供应商设备封装： | SOD-923 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | ESD9B3.3ST5GOSDKR |
ESD9B, SZESD9B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T A = 25 ° C unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
I PP
I
I PP
V C
V RWM
Maximum Reverse Peak Pulse Current
Clamping Voltage @ I PP
Working Peak Reverse Voltage
I T
V C V BR V RWM I R
I R V RWM V BR V C
I T
V
I R
Maximum Reverse Leakage Current @ V RWM
V BR
I T
C
Breakdown Voltage @ I T
Test Current
Capacitance @ V R = 0 V and f = 1.0 MHz
I PP
Bi ? Directional TVS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless otherwise noted)
V RWM
(V)
I R ( m A)
@ V RWM
V BR (V) @ I T
(Note 2)
I T
C (pF)
V C
V C (V)
Max Per 8 x 20 m s
(Note 4)
Device
ESD9B3.3ST5G
ESD9B5.0ST5G,
SZESD9B5.0ST5G
Device
Marking
2*
E
Max
3.3
5.0
Max
1.0
1.0
Min
5.0
5.8
Max
7.0
7.8
mA
1.0
1.0
Typ
15
15
Per IEC61000 ? 4 ? 2
(Note 3)
Figures 1 and 2
See Below
Figures 1 and 2
See Below
I PP = 1 A
10.5
12.5
I PP = 2 A
11.5
15.0
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.
* Rotated 270 ° .
2. V BR is measured with a pulse test current I T at an ambient temperature of 25 ° C.
3. For test procedure see Figures 3 and 4 and Application Note AND8307/D.
4. Surge current waveforms per Figure 5.
Figure 1. ESD Clamping Voltage Screenshot
Positive 8 kV Contact per IEC61000 ? 4 ? 2
Figure 2. ESD Clamping Voltage Screenshot
Negative 8 kV Contact per IEC61000 ? 4 ? 2
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| ESD9B5.0ST5G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS DIODE 5V SOD-923 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TVS DIODE, 5V, SOD-923 |
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| ESD9C3.3ST5G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ESD PROTECT DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| ESD9C5.0ST5G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ESD PROTECT DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
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