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参数资料
| 型号： | ESDA8V2-1MX2 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 电源管理 |
| 英文描述： | POWER SUPPLY SUPPORT CKT, DSO2 |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, QFN-2 |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 252K |
| 代理商： | ESDA8V2-1MX2 |
Characteristics
ESDA8V2-1MX2
2/10
1
Characteristics
Table 1.
Absolute maximum ratings (Tamb = 25 °C)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VPP
ESD discharge:
IEC 61000-4-2 air discharge on input pin
IEC 61000-4-2 contact discharge on input pin
MIL STD 883G - Method 3015-7: class 3B
±30
kV
PPP
Peak pulse power dissipation (8/20 s) (1)
Tj initial = Tamb
500
W
IPP
Peak pulse current (8/20 s)
27
A
Tj
Junction temperature range
-40 to +125
°C
Tstg
Storage temperature range
- 55 to +150
°C
TL
Maximum lead temperature for soldering during 10 s
260
°C
1.
For a surge greater than the maximum values, the diode will fail in short-circuit
Table 2.
Electrical characteristics (definitions)
Symbol
Parameter
VBR
Breakdown voltage
IRM
Leakage current @ VRM
VRM
Stand-of voltage
VCL
Clamping voltage
IPP
Peak pulse current
Cline
Input line capacitance
VV
V
I RM
I R
I PP
V
I
I F
V
Slope= 1/ Rd
V
CL
V
BR
RM
V
F
Table 3.
Electrical characteristics (values, Tamb = 25 °C)
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
VBR
IR = 1 mA
8.2
V
IRM
VRM = 5 V
0.1
0.5
A
VCL
IPP = 1 A (8/20 s waveform)
12
V
IPP = 5 A (8/20 s waveform)
13
V
Ipp = 27 A (8/20 s waveform)
18.5
V
Cline
VR = 0 V, Fosc = 1 MHz, Vosc = 30 mV
350
430
pF
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PDF描述 |
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