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参数资料
| 型号： | FAN73832MX_WS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRIVER HI/LOW SIDE 8SOIC |
| 标准包装： | 3,000 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 580ns |
| 电流 - 峰： | 350mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 15 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Dynamic Electrical Characteristics
V BIAS (V DD , V BS )=15.0V, V S =GND, C L =1000pF, R DT =20K Ω and T A = 25 ° C, unless otherwise specified.
Symbol
t ON
Parameter
Turn-on propagation delay
Conditions
V S =0V, R DT =20K Ω
Min.
Typ.
580
Max.
730
Unit
t OFF
Turn-off propagation delay
V S =0V or
600V (5) ,
R DT =20K Ω
180
230
t R
t F
t SD(5)
Turn-on rise time
Turn-off fall time
Shutdown propagation delay
C L =1000pF
C L =1000pF
50
30
100
100
80
180
ns
DT1, DT2
DMT
Dead-time LO OFF to HO ON & HO
OFF to LO ON
Dead-time matching
R DT =20K Ω
R DT = 200K Ω
R DT = 20K Ω
R DT =200K Ω
300
1.20
400
1.68
0
0
500
2.30
60
150
ns
μs
ns
Note:
5. These parameters guaranteed by design.
? 2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FAN73832 Rev. 1.0.2
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GEC25DREH-S13 | CONN EDGECARD 50POS .100 EXTEND |
| 345-100-541-802 | CARDEDGE 100POS DUAL .100 GREEN |
| US1B-13 | RECT ULTRA FAST SMD 100V 1A SMA |
| SDR1006-150ML | INDUCTOR POWER 15UH 2.25A SMD |
| RCC06DCAI-S189 | CONN EDGECARD 12POS R/A .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FAN73833 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Half-Bridge Gate-Drive IC |
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| FAN7383M | 功能描述:功率驱动器IC Half Brige Gate RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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