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参数资料
| 型号： | FCH25N60N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | SupreMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 126 毫欧 @ 12.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 74nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3352pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 216W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
25 C
Figure 1. On-Region Characteristics
100
V GS = 15V
10V
8V
6V
4V
10
Figure 2. Transfer Characteristics
100
o
10
150 C
-55 C
o
o
2. T C = 25 C
1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
0.3
0.05 0.1
1 10
30
1
2
4 6
8
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
350
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
150 C
300
o
250
10
25 C
200
150
V GS = 10V
V GS = 20V
o
*Notes:
*Note: T C = 25 C
100
0
20 40 60
o
80
1
0.4
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.6 0.8 1.0
1.2
10
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
5
C oss
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
10
4
8
V DS = 120V
V DS = 300V
10
3
C iss
C rss
6
V DS = 480V
10
10
2
1
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
C iss = C gs + C gd ( C ds = shorted )
4
2
C rss = C gd
10
C oss = C ds + C gd
0
0.1 1 10 100
600
0
0
10
*Note: I D = 12.5A
20 30 40 50
60
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FCH25N60N Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCH35N60 | MOSFET N-CH 600V 35A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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