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参数资料
| 型号： | FCI7N60 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SuperFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 920pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 83W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS
Figure 2. Transfer Characteristics
Top :
15.0 V
10.0 V
8.0 V
10
10
1
7.0 V
6.5 V
1
6.0 V
Bottom : 5.5 V
150 ° C
10
10
0
* Notes :
0
25 ° C
-55 ° C
* Note
10
10
10
10
10
-1
-1
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ° C
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
-1
2
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
4 6 8
V GS , Gate-Source Voltage [V]
10
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
2.0
1.8
1.6
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
10
10
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS = 10V
1
0
0.6
0.4
0.2
V GS = 20V
* Note : T J = 25 ° C
150 ° C
25 ° C
* Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.0
0
5
10
15
20
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
3000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
12
10
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
2000
C oss
* Notes :
8
6
1000
C iss
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
* Note : I D = 7A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
5
10
15
20
25
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FCI7N60 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FCI-BP | 制造商:TURCK Inc 功能描述:FCI-BP |
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| FCI-CR-D4BR | 制造商:GAMEWELL-FCI 制造商全称:GAMEWELL-FCI 功能描述:Door, lock & key |
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