参数资料
型号: FCP4N60
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 3/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 3.9A TO-220
产品目录绘图: MOSFET TO-220F
标准包装: 50
系列: SuperFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.2 欧姆 @ 2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 16.6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 540pF @ 25V
功率 - 最大: 50W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
产品目录页面: 1608 (CN2011-ZH PDF)
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
10
Top :
V GS
15.0 V
1
10.0 V
8.0V
7.5 V
7.0 V
150 C
10
25 C
1
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
0
o
o
-55 C
o
* Notes :
2. T C = 25 C
0.1
1. 250 μ s Pulse Test
o
* Note
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.1
1
10
-1
2
4
6
8
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
10
10
4
1
3
V GS = 10V
2
0
150 C
25 C
1
V GS = 20V
o
o
* Notes :
1. V GS = 0V
* Note : T J = 25 C
o
2. 250 μ s Pulse Test
10
0
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
12.5
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
1200
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
12
V DS = 120V
1000
C rss = C gd
10
V DS = 300V
V DS = 480V
800
* Notes :
8
600
C oss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
6
C iss
400
200
C rss
4
2
* Note : I D = 3.9A
10
10
0
0
1
0
0
5
10
15
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FCP4N60 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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