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参数资料
| 型号： | FCP9N60N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 9A TO220 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220 Pkg |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | SuperMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 385 毫欧 @ 4.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1240pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 88.3W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
100
10
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
60
10
150 C
25 C
-55 C
1
5.0 V
1
o
o
o
2. T C = 25 C
0.1
0.1
1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
10
20
0.1
2
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
4 6
8
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.2
1.0
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
150 C
25 C
0.8
0.6
0.4
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
o
*Notes:
*Notes: T C = 25 C
0.2
0
5
10 15
20
o
25
1
0.4
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.6 0.8 1.0 1.2
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
5000
4000
3000
2000
C oss
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
*Notes:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
10
8
6
4
V DS = 120V
V DS = 300V
V DS = 480V
C iss
1000
2
0
0.1
C rss
1 10 100
600
0
0
5
*Notes: I D = 4.5A
10 15 20
25
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FCP9N60N / FCPF9N60NT Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCPF11N60F | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220F |
| FCPF13N60NT | MOSFET N-CH 600V 13A TO220F |
| FCPF16N60NT | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
| FCPF16N60 | MOSFET N-CH 600V 16A TO-220F |
| FCPF190N60 | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FCPAPER1 | 制造商:HellermannTyton 功能描述:1 Micron polishing paper |
| FCPAPER5 | 制造商:HellermannTyton 功能描述:5 Micron polishing paper |
| FCPAPERSM | 制造商:HELLERMANNTYTON 功能描述:1MICRON DIAMOND POLISH PPR SING 制造商:HellermannTyton 功能描述:.1 Micron diamond polishing paper for single mode |
| FCPAXT | 制造商:FOX 制造商全称:FOX 功能描述:3.3V, SMD, LV-PECL Oscillator |
| FCPC05 | 制造商:Black Box Corporation 功能描述:Fiber Optic In-Line Attenuators, Single-Mode, Male/Female, FC/PC, 5-dB |
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