参数资料
型号: FCP9N60N
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 5/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 9A TO220
产品目录绘图: MOSFET TO-220 Pkg
标准包装: 400
系列: SuperMOS™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 385 毫欧 @ 4.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1240pF @ 100V
功率 - 最大: 88.3W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
产品目录页面: 1607 (CN2011-ZH PDF)
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 12. Transient Thermal Response Curve for FCP9N60N
2
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 1.5 C/W Max.
Single pulse
*Notes:
o
10
10
10
10
10
0.01
0.005
-5
-4
-3
-2
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-1
1
1 ,
Rectangular Pulse Duration [sec]
Figure 13. Transient Thermal Response Curve for FCPF9N60NT
5
0.5
1
0.2
0.1
0.05
P DM
t 2
1. Z θ JC (t) = 4.2 C/W Max.
0.1
0.02
0.01
Single pulse
t 1
*Notes:
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
10
10
10
10
0.01
-5
-4
-3
-2
-1
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
1 10
2
t 1 , Rectangular Pulse Duration [sec]
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FCP9N60N / FCPF9N60NT Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
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