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参数资料
| 型号： | FDA20N50 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-3P Pkg |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 11A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 59.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3120pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 280W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
150 C
25 C
80
10
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
100
10
o
o
2. T C = 25 C
1
0.5
0.1
1
*Notes:
1. 250 ? s Pulse Test
o
10
1
4
6
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 ? s Pulse Test
8
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.8
0.7
0.6
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
150 C
25 C
0.5
10
o
o
0.4
V GS = 10V
0.3
V GS = 20V
1
*Note: T J = 25 C
0.2
0.1
0
25
50
o
75
0.2
0.0
0.5
*Notes:
1. V GS = 0V
2. 250 ? s Pulse Test
1.0
1.5
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
6000
4500
C oss
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
*Note:
10
8
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
6
3000
C iss
4
1500
2
C rss
0
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
50
0
0
10
*Note: I D = 20A
20 30 40 50
Q g , Total Gate Charge [nC]
60
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA20N50F Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDA24N40F | MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PN |
| FDA24N50F | MOSFET N-CH 500V 24A TO-3 |
| FDA24N50 | MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN |
| FDA28N50F | MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN |
| FDA28N50 | MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDA20N50_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FDA20N50_0707 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FDA20N50_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FDA20N50_F109 | 功能描述:MOSFET 500V NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDA20N50F | 功能描述:MOSFET 500V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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