参数资料
型号: FDA20N50F
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 4/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 500V 22A TO-3PN
产品目录绘图: MOSFET TO-3P(N)
标准包装: 30
系列: UniFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 22A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 260 毫欧 @ 11A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3390pF @ 25V
功率 - 最大: 388W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装: TO-3PN
包装: 管件
产品目录页面: 1607 (CN2011-ZH PDF)
Typical Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. Maximum Safe Operating Area
200
1.1
100
10
100 ? s
1ms
30 ? s
1.0
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10ms
1. T C = 25 C
0.9
*Notes:
1
*Notes:
o
DC
T J , Junction Temperature [ C ]
2. T J = 150 C
0.8
-100
1. V GS = 0V
2. I D = 250 ? A
-50 0 50 100 150 200
o
0.1
1
o
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1000
Figure 9. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
25
20
15
10
5
T C , Case Temperature [ C ]
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 10. Transient Thermal Response Curve
1
0.5
0.1
0.2
0.1
P DM
1. Z ? JC (t) = 0.44 C/W Max.
0.01
0.05
0.02
0.01
Single pulse
t 1
t 2
*Notes:
o
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
10
10
10
10
10
10
1E-3
-5
-4
-3
-2
3. T JM - T C = P DM * Z ? JC (t)
-1
0
t 1 , Square Wave Pulse Duration [sec]
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA20N50F Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
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