参数资料
型号: FDA20N50F
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 500V 22A TO-3PN
产品目录绘图: MOSFET TO-3P(N)
标准包装: 30
系列: UniFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 22A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 260 毫欧 @ 11A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3390pF @ 25V
功率 - 最大: 388W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装: TO-3PN
包装: 管件
产品目录页面: 1607 (CN2011-ZH PDF)
Figure 11. Gate Charge Test Circuit & Waveform
I G = const .
Figure 12. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 13. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
V GS
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA20N50F Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
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