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参数资料
| 型号： | FDA24N50 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-3P(N) |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 190 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 85nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4150pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 270W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
150 C
-55 C
25 C
60
10
V GS = 15.0V
10.0V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
100
10
o
o
o
2. T C = 25 C
1
0.5
0.1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
1
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
10
1
4
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
5 6 7
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
8
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.35
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
150
100
0.30
150 C
25 C
0.25
V GS = 10V
10
o
o
0.20
V GS = 20V
0.15
*Notes:
*Note: T J = 25 C
0.10
0
20 40 60
o
80
1
0.2
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.6 1.0
1.4
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
7500
6000
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
10
8
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
*Note:
1. V GS = 0V
4500
3000
1500
2. f = 1MHz
C iss
C oss
6
4
2
0
0.1
C rss
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
30
0
0
*Note: I D = 24A
20 40 60
Q g , Total Gate Charge [nC]
70
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA24N50 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDA28N50F | MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN |
| FDA28N50 | MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN |
| FDA33N25 | MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN |
| FDA38N30 | MOSFET N-CH 300V TO-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDA24N50F | 功能描述:MOSFET N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDA24N50F_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET 500V, 24A, 0.2?? |
| FDA-25PF | 制造商:HRS 制造商全称:HRS 功能描述:FD TYPE CONNECTOR FOR RIBBON CABLE |
| FDA-25SF | 制造商:HRS 制造商全称:HRS 功能描述:FD TYPE CONNECTOR FOR RIBBON CABLE |
| FDA2712 | 功能描述:MOSFET 250V N-CH UltraFET PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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