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参数资料
| 型号： | FDA59N25 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 59A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 49 毫欧 @ 29.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 82nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4020pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 392W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
※ Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
※ Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 29.5 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
T J , Junction Temperature [ C]
T J , Junction Temperature [ C]
10
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
3
70
o
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
2
10 μ s
100 μ s
60
10
1
DC
1 ms
10 ms
100 ms
50
40
Operation in This Area
10
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0
-1
is Limited by R DS(on)
※ Notes :
o
o
3. Single Pulse
30
20
10
10
10
10
10
-2
0
1
2
0
25
50
75
100
125
150
V DS , Drain-Source Voltage [V]
T C , Case Temperature [ ℃ ]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
D =0.5
10
-1
0.2
0.1
0.05
0.02
※ N otes :
1. Z θ JC (t) = 0.32 ℃ /W M ax.
2. D uty F actor, D =t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
10
-2
0.01
single pulse
P DM
t 1
t 2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
1 quare W ulse [sec]
t 1 , t S , Rectangular ave Pulse Duration uration [sec]
?2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA59N25 Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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