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参数资料
| 型号： | FDA8440 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 100A TO-3PN |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-3P(N) |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.1 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 450nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 24740pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 306W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
March 2013
FDA8440
N-Channel Logic Level
40 V, 100 A, 2.1 m Ω
PowerTrench ? MOSFET
tm
Features
? R DS(on) = 1.46 m Ω ( Typ.) @ V GS = 10 V, I D = 80 A
? Q G(tot) = 345 nC (Typ.) @ V GS = 10 V
? Low Miller Charge
? Low Q rr Body Diode
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Applications
? Power tools
? Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
? Synchronous Rectification
? Battery Protection Circuit
? 160A Guarantee for 2 sec
? RoHS Compliant
D
G
G
D
S
TO-3PN
S
MOSFET Maximum Ratings T C
= 25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
I D
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current
- Continuous (T C = 155 o C)
- Continuous (T A = 25 o C, V GS = 10V, R θ JA = 40 o C/W )
- Pulsed
FDA8440
40
±20
100
30
500
Unit
V
V
A
A
A
E AS
P D
Single Pulsed Avalanche Energy
Power dissipation
Derate above 25 o C
(Note 1)
1682
306
2.04
mJ
W
W/ o C
T J, T STG
Operating and Storage Temperature
-55 to +175
o
C
Thermal Characteristics
R θ JC
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.
0.49
o C/W
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max.
(Note 2)
40
o
C/W
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA8440 Rev. C0
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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