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参数资料
| 型号： | FDA8440 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 100A TO-3PN |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-3P(N) |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.1 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 450nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 24740pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 306W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA8440 Rev. C0
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB024N06 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
| FDB029N06 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
| FDB031N08 | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK |
| FDB035AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB |
| FDB035N10A | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDA8440_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDA96N20 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDA9F2S50T2X | 制造商:Positronic Industries 功能描述: |
| FDA-9PF | 制造商:HRS 制造商全称:HRS 功能描述:FD TYPE CONNECTOR FOR RIBBON CABLE |
| FDA-9SF | 制造商:HRS 制造商全称:HRS 功能描述:FD TYPE CONNECTOR FOR RIBBON CABLE |
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