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参数资料
| 型号： | FDB035AN06A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 124nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB035AN06A0DKR |
November 2013
FDB035AN06A0
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
60 V, 80 A, 3.5 m Ω
Features
? R DS(on) = 3.2 m ? ( Typ.) @ V GS = 10 V, I D = 80 A
? Q G (tot) = 95 nC ( Typ.) @ V GS = 10 V
? Low Miller Charge
Applications
? Synchronous Rectification for ATX / Server / Telecom PSU
? Battery Protection Circuit
? Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
? Low Q rr Body Diode
? UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Formerly developmental type 82 584
D
D
G
S
D 2 -PAK
G
S
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
Continuous (T amb = 25 C, V GS = 10V, with R θ JA = 43 C/W)
C
Symbol
V DSS
V GS
I D
E AS
P D
T J , T STG
Parameter r
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current
Continuous (T C < 153 o C, V GS = 10V)
o o
Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy (Note 1)
Power dissipation
Derate above 25 o C
Operating and Storage Temperature
FDB035AN06A 0
60
± 20
80
22
Figure 4
625
310
2.07
-55 to 175
U nit
V
V
A
A
A
mJ
W
W/ o C
o
Thermal Characteristics
Thermal Resistance, Junction to Ambient, 1in copper pad area, Max.
C/W
C/W
R θJC
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max. (Note 2)
2
0.48
62
43
o C/W
o
o
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB035AN06A0 Rev. C2
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB035N10A | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK |
| FDB039N06 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
| FDB045AN08A0_F085 | MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK |
| FDB045AN08A0 | MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK |
| FDB047N10 | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB035AN06A0 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDB035AN06A0_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 80A, 3.5m?? |
| FDB035AN06A0_F085 | 功能描述:MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB035AN06A0_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB035N10A | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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