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参数资料
| 型号： | FDB035AN06A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 124nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB035AN06A0DKR |
SPICE Thermal Model
REV 23 July 4, 2002
FDB035AN06A0T
CTHERM1 TH 6 6.45e-3
CTHERM2 6 5 3e-2
CTHERM3 5 4 1.4e-2
CTHERM4 4 3 1.65e-2
CTHERM5 3 2 4.85e-2
CTHERM6 2 TL 1e-1
RTHERM1 TH 6 3.24e-3
RTHERM2 6 5 8.08e-3
RTHERM3 5 4 2.28e-2
RTHERM4 4 3 1e-1
RTHERM1
RTHERM2
th
6
JUNCTION
CTHERM1
CTHERM2
RTHERM5 3 2 1.1e-1
RTHERM6 2 TL 1.4e-1
5
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDB035AN06A0T
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =6.45e-3
ctherm.ctherm2 6 5 =3e-2
ctherm.ctherm3 5 4 =1.4e-2
ctherm.ctherm4 4 3 =1.65e-2
ctherm.ctherm5 3 2 =4.85e-2
ctherm.ctherm6 2 tl =1e-1
rtherm.rtherm1 th 6 =3.24e-3
rtherm.rtherm2 6 5 =8.08e-3
rtherm.rtherm3 5 4 =2.28e-2
rtherm.rtherm4 4 3 =1e-1
rtherm.rtherm5 3 2 =1.1e-1
rtherm.rtherm6 2 tl=1.4e-1
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
4
3
2
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
RTHERM6
tl
CASE
CTHERM6
?2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB035AN06A0 Rev. C2
10
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB035N10A | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB035AN06A0 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDB035AN06A0_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 80A, 3.5m?? |
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