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参数资料
| 型号： | FDA8440 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 100A TO-3PN |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-3P(N) |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.1 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 450nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 24740pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 306W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDA8440
Device
FDA8440
Package
TO-3PN
Reel Size
N/A
Tape Width
N/A
Quantity
30units
Electrical Characteristics
T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
BV DSS
Drain to Source Breakdown Voltage
V GS = 0V, I D = 250 μ A
40
--
--
V
I DSS
I GSS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Body Leakage Current
V DS = 32V
V GS = 0V
V GS = ±20V
T C = 150 o C
--
--
--
--
--
--
1
250
±100
μ A
μ A
nA
On Characteristics
V GS(th)
R DS(on)
Gate to Source Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = 4.5V, I D = 80A
V GS = 10V, I D = 80A
1
--
--
--
1.56
1.46
3
2.2
2.1
V
m Ω
V GS = 10V, I D = 80A,
T C = 175 o C
--
2.82
4.1
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
R G
Q g(tot)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
Total Gate Charge at 10V
V DS = 25V, V GS = 0V,
f = 1.0MHz
V GS = 0.5V, f = 1MHz
V GS = 0V to 10V
--
--
--
--
--
18600
1840
1400
1.1
345
24740
2450
2100
--
450
pF
pF
pF
Ω
nC
Q g(2)
Q gs
Q gs2
Q gd
Threshold Gate Charge
Gate to Source Gate Charge
Gate Charge Threshold to Plateau
Gate to Drain “Miller” Charge
V GS = 0V to 2V
V DD = 20V
I D = 80A
I g = 1.0mA
--
--
--
--
32.5
49
16.5
74
--
--
--
--
nC
nC
nC
nC
Switching Characteristics
(V GS = 10V)
t ON
Turn-On Time
--
175
360
ns
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t OFF
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-Off Time
V DD = 20V,I D = 80A
V GS = 10V, R GEN = 7 Ω
--
--
--
--
--
43
130
435
290
730
95
275
875
590
1470
ns
ns
ns
ns
ns
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
V SD
t rr
Q RR
Source to Drain Diode Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I SD = 80A
I SD = 40A
I SD = 75A, dI SD /dt = 100A/ μ s
I SD = 75A, dI SD /dt = 100A/ μ s
--
--
--
--
--
--
59
77
1.25
1.0
--
--
V
V
ns
nC
NOTES:
1: Starting T J = 25 ° C, L = 1mH, I AS = 58A, V DD = 36V, V GS = 10V.
2: Pulse width = 100s
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA8440 Rev. C0
2
www.fairchildsemi.com
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参数描述 |
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