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参数资料
| 型号： | FDA8440 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 100A TO-3PN |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-3P(N) |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.1 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 450nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 24740pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 306W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
400
100
Figure 2. Transfer Characteristics
400
100
150 C
-55 C
25 C
10
1
V GS = 10.0 V
7.0 V
5.0 V
3.5 V
3.0 V
2.5 V
* Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
10
o
o
o
* Notes :
1. V DS = 20V
2. T C = 25 C
0.4
0.04
0.1
o
1
1
0
2. 250 μ s Pulse Test
2 4
6
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.60
V GS = 4.5V
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
1000
150 C
25 C
1.55
100
o
o
1.50
V GS = 10V
10
Notes:
* Note : T J = 25 C
1.45
0
50
100 150 200 250
o
1
0.3
0.6
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.9
1.2
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
30000
24000
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
10
8
V DS = 25V
V DS = 20V
V DS = 15V
C iss
18000
6
12000
C oss
* Note:
1. V GS = 0V
4
2. f = 1MHz
6000
C rss
2
10
10
10
0
-1
0
1
20
0
0
* Note : I D = 80A
100 200 300
400
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA8440 Rev. C0
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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