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参数资料
| 型号： | FDB070AN06A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 66nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 175W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDB070AN06A0DKR |
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
120
100
80
60
40
20
0
CURRENT LIMITED
BY PACKAGE
0
2 5
50
75
100
125
150
175
25
50
75
100
125
150
175
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
T C , CASE TEMPERATURE
( o C)
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.1
t 1
t 2
NOTES:
0.01
SINGLE PULSE
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t , RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
2000
T C = 25 o C
FOR TEMPERATURES
1000
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
100
50
V GS = 10V
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
I = I 25
175 - T C
150
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 4. Peak Current Capability
? 200 3 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB070AN06A0 Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NCP18XW682J03RB | THERMISTOR 6.8K OHM NTC 0603 SMD |
| NCP03WF333J05RL | THERMISTOR 33K OHM NTC 0201 SMD |
| RL300513.1K-155-D1 | THERMISTOR NTC 20 OHM @ 25C |
| SS-5GL14T | SWITCH FORMED LEVER SPDT 5A |
| CMFB4000104JNT | THERMISTOR NTC 100K OHM 5% 0805 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB070AN06A0 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDB070AN06A0_F085 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB070AN06A0_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PT 6V 8A 7mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB075N15A | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB075N15A_F085 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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